发表于：2023-12-04 09:51:54
来源：光伏行研
技术总结：
高方阻，Eff>25.5%
• 正面高方阻J0_met<400
• 细线印刷 & 低接触电阻
• n+-Poly薄化<100nm
• 背面酸抛 →碱抛
SE&plus，Eff>26%
• 正面BSE高方阻J0_met<200
• 细线印刷 & 低线电阻
• n+-Poly薄化 →<60nm
• 双面氧化铝
• 背面碱抛 →碱抛微结构
双面poly ，Eff>26.5%
• p+-Poly接触J0_met<50
• 超细线印刷<15μm
• 电诱导辅助烧结
• 薄poly & poly finger
TBC，Eff>26.5%
• p+-Poly & n+-Poly低温共烧
• 薄Poly接触J0_met<50
• 超细线 & 复合栅线
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