10月25日，通威太阳能发布单晶PERC电池最新价格。与9月27日相比，166、182、210三种尺寸电池的价格均无变化，166电池报价1.31元/W，182/210电池报价1.33元/W。
不过，与9月27日报价相比，182/210电池厚度减薄至150μm，这意味着，通威电池的生产成本有所降低，利润略有增长。
分析师指出，通威电池片在厚度减薄的情况下并未让利，这一策略除了受产业链上游成本、下游市场需求影响，也与他们近来强化组件环节布局、希望减少电池外销有关。考虑到四季度国内市场需求旺盛，光伏从业者们期待的全面降价，可能会延后到明年一季度末出现。
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近日，“2025年度中国可再生能源学会科学技术奖”评选结果正式揭晓，通威“高效率低成本硅异质结太阳电池技术”凭借在技术创新、成果转化及行业引领等方面的突出表现，历经多轮严苛评审，成功斩获科学技术奖一等奖。科学技术奖公告文件获奖项目名单通威作为异质结技术的先行者，始终致力于技术创新，为行业高质量发展持续赋能。
12月3日，通威股份披露11月对外担保进展公告。从担保结构看，对资产负债率超70%子公司的担保占比显著，截至11月末相关担保余额达338.82亿元，占子公司间担保总余额的74.16%。客户担保方面，子公司通威农业融资担保有限公司11月新增担保1.29亿元，截至11月末担保余额6.61亿元，未超9亿元年度额度。截至11月末，公司及子公司相互担保余额456.89亿元，未发生逾期。
通威股份光伏首席技术官邢国强博士通过视频作下届大会承办交接致辞通威股份光伏技术中心经理樊华龙从CSPV大会副主席兼秘书长沈文忠手中接过换届旗帜通威股份光伏技术中心高级工程师吴林博士受邀出席并作主题演讲，分享钙钛矿-晶硅叠层电池开发的最新进展。承办下一届CSPV大会，标志着通威在光伏技术创新领域的领先地位获得业界广泛认可。
论文概览为提升非稠环电子受体在厚膜有机太阳能电池中的性能，北京师范大学薄志山、李翠红团队与青岛大学刘亚辉、卢浩等合作，创新性地设计并合成了一种具有不对称苯基烷基胺侧链的非稠环电子受体TT-Ph-C6。研究意义提出不对称侧链工程新策略：通过苯基烷基胺侧链实现溶解性与堆积紧密度的平衡。结论展望本研究通过不对称侧链工程成功构建了高性能非稠环电子受体TT-Ph-C6，实现了18.01%的效率与80.10%的填充因子，并在200–300nm厚膜中仍保持领先性能。
通威股份光伏技术中心的张一峰在会上强调，在选择叠层技术路线时，除了关注电池效率的提升外，还需综合考虑设备可靠性、生产成本及可量产性等多方面因素，以确保所选技术能够在实际应用中落地生根，推动钙钛矿晶硅叠层电池的大规模产业化进程。实现叠层电池量产的关键要素1.确立可量产的技术路线对于钙钛矿晶硅叠层电池而言，确定一条具有实际生产潜力的技术路径至关重要。
2025年11月10日，青岛大学刘亚辉教授、薄志山教授、路皓副教授等人在《AdvancedMaterials》上发表了题为“CustomizedMolecularDesignofaNovelWide-BandgapPolymerDonorBasedonBenzoTrithiopheneUnitwithOver20%SolarCellEfficiency”的研究论文。通过引入富勒烯受体PCBM构建三元器件，效率进一步提升至20.4%。形态学表征进一步佐证了上述结论。
这将有助于遏制恶性价格战，推动价格逐步企稳回升。榜单说明本榜单由索比咨询发布，聚焦中国光伏组件企业产量、产能匹配度及生产节奏，通过年产能、月度产量、环比变动、开工率四大核心指标，多维呈现行业生产端真实生态。索比咨询不对榜单内容的完整性、准确性或适用性作出任何形式的担保，亦不承担因依赖榜单信息所产生的任何直接或间接责任。
论文概览钙钛矿/有机叠层太阳能电池是突破单结器件效率极限的重要技术路径，然而其性能长期受限于有机子电池中的复合损失。推动叠层效率突破：将钙钛矿/有机叠层电池效率提升至26.42%，跻身国际领先水平。结论展望本研究通过系统揭示给体含量对有机薄膜生长动力学、结晶特性与复合损失的调控机制，成功将钙钛矿/有机叠层太阳能电池的效率提升至26.42%，实现了对该体系复合损失的有效抑制与性能优化。
最终，基于此的有机太阳能电池在使用ZnO基ETL的器件中实现了20.1%的纪录效率，并具备优异的厚度容忍度和操作稳定性。实现传统结构OSC效率突破：刚性器件效率达20.1%，柔性器件达19.1%，均为ZnO基ETL器件的最高纪录。具备优异厚度容忍度与稳定性：ZnO-DIB器件在10–35nm厚度范围内效率波动5%，并在连续光照下保持超过80%的初始效率。
最终，基于此的有机太阳能电池在使用ZnO基ETL的器件中实现了20.1%的纪录效率，并具备优异的厚度容忍度和操作稳定性。实现传统结构OSC效率突破：刚性器件效率达20.1%，柔性器件达19.1%，均为ZnO基ETL器件的最高纪录。具备优异厚度容忍度与稳定性：ZnO-DIB器件在10–35nm厚度范围内效率波动5%，并在连续光照下保持超过80%的初始效率。
