技术总结：
1、以最终系统低度电成本和高性价比来衡量并选择合适的晶硅太阳电池的技术发展路线;
2、1-3年内，P-PERC电池最具性价比优势还有一定的提升潜力，占据主要市场份额;
3、N-TOPCON能否成为下一阶段具有竞争力的电池，取决于技术成熟度、制造成本和国产化低成本技改升级的速度;
4、N-HJT/HBC是否能尽快成为下一代具有竞争力的电池，取决于量产效率提升速度、大产能国产化装备的技术成熟度、材料廉价化和制造成本;在降本潜力、应用可靠性等方面比NTOPCON有优势，但主要设备与现有产线不兼容，必须新建;
5、从原理上看，新一代迭代电池有进一步提升量产效率的潜力，最终能否实现，还是要看量产技术成熟度和性价比;
6、新型两端式叠层电池(2~3个P-N结串联)实验室固定光谱下的转换效率很高，但实际地面应用中，由于太阳光谱的多变性会造成各子电池的电流不匹配，从而使实际发电效率明显降低，除非每个子电池正负单独引出(但会明显增加系统应用的成本和复杂性)，需慎重考虑。
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沈文忠指出，晶硅光伏凭借资源丰富、效率稳定、成本可控的综合优势，市场占比已达98%以上，且未来5年仍将保持绝对主导地位。技术融合是下一代电池发展的核心趋势。沈文忠强调，TOPCon、异质结与xBC的技术融合将催生THBC等新型电池结构，通过优化钝化层与电极设计，量产效率有望突破28%，成为晶硅电池的终极方案之一。沈文忠总结说，光伏产业已迈入“穿越周期、适者生存”的新阶段，技术创新仍是破局核心。
上海交通大学陈汉等人引入一种分子桥接剂，它既能与SAM基底共轭，又能与钙钛矿表面配位，从而增强空穴收集异质界面处的化学与电子耦合。通过这一策略，获得了光稳定、带隙1.76 eV、光电性能提升且晶格稳定的钙钛矿吸收层，使单结钙钛矿太阳能电池实现20.79%的光电转换效率（认证值20.35%）。当该电池与1.25 eV的Sn-Pb钙钛矿底电池集成时，所得两端单片全钙钛矿叠层太阳能电池效率达29.58%，且封装器件在960小时连续最大功率点运行后仍保持初始效率的90%。
2026年1月12日华东师范大学Wenxiao Zhang&方俊锋&林雪平大学高峰于Nature Communication刊发一种不含氟化锡、高效且耐用的锡铅钙钛矿太阳能电池的研究成果，开发了一种策略，将铅粉作为前驱体，并进行PbF₂后处理，分别替代SnF₂在成膜和表面缺陷钝化中的作用。Pb²⁺中的d电子极化增强了其与F⁻的结合，使其对钙钛矿的反应惰性。在本研究中，不含SnF₂的器件效率从16.43%提高到24.07%。在最大功率点下，85°C 运行 550 小时后，电池仍能保持其初始效率的60%。
通过对钙钛矿/C界面进行分子调控以减少缺陷密度，对实现高效稳定的倒置型钙钛矿太阳能电池至关重要。然而，取代基柔韧性对钝化性能的影响仍未得到充分理解。研究发现，柔性中心取代基显著增强了吡啶基团的电子云密度，从而提升了其钝化能力，同时抑制了分子聚集并促进了更好的界面接触。
作为深红光发射体的主要候选材料，全无机CsPbI薄膜通常因晶粒融合且缺陷态多而导致深红光钙钛矿LED性能不佳。本文上海交通大学陈悦天、缪炎峰和赵一新等人报道了一种通过大规模制备实现强空间限域、性能优异的深红光发射CsPbI纳米晶薄膜。
研究发现，传统认知中的“单分子层”实则为多层结构，而钙钛矿制备中常用的DMF溶剂可洗脱超过50%的SAM分子，其中近半数直接来自与ITO基底结合的第一层。Figure4展示了再沉积策略对增强SAM稳定性的多重效益及其界面机制。未来，通过进一步优化SAM分子设计以增强层内与层间相互作用，并结合大面积均匀沉积工艺，有望在更复杂的叠层电池结构中实现界面效率与稳定性的协同提升。
通过在亚稳区进行连续溶质补给的晶体生长，有效清除了微米级深度的碘空位；随后采用有机铵后处理进一步消除最表层残留空位。这种协同策略显著优化了载流子传输并抑制了非辐射复合，从而将单晶钙钛矿太阳能电池的效率从22.8%提升至25.5%。效率与稳定性同步大幅提升：单晶钙钛矿太阳能电池效率从22.8%提升至25.5%，同时T工作寿命从200小时延长至1000小时，是目前报道中效率最高、稳定性最突出的单晶钙钛矿太阳能电池之一。
溶液法制备的钙钛矿薄膜的结晶演化对其性能和稳定性至关重要。然而，由于在退火过程中观察多晶团簇动力学存在实验上的挑战，全无机钙钛矿的结晶动力学仍知之甚少。结果表明，增强的双香豆素与钙钛矿前驱体的相互作用促进了DIC-Cs+（δ相）异质晶种的自发形成。这项工作提供了对团簇生长过程的直接原位研究，指导了利用异质晶种制备高质量全无机钙钛矿薄膜的方法。
单分散胶体钙钛矿纳米晶的放大合成对其实际应用至关重要，但由于钙钛矿快速结晶的特性，其规模化合成仍然面临挑战，尤其是超小尺寸、单分散CsPbBr纳米晶的放大合成更为困难，常伴随纳米片副产物的生成。放大合成的CsPbBr纳米晶在480nm处呈现蓝光发射，半峰宽仅为21nm。该工作为超小纳米晶的规模化制备提供了解决方案，并提出了一种可推广的配体设计思路，助力高效钙钛矿光电器件的实用化发展。
钝化接触是实现高效晶体硅（c‑Si）太阳能电池全部潜力的关键赋能技术。过渡金属氧化物（TMOs）因其宽带隙、可调的功函数（WF）和有效的表面钝化能力，作为钝化接触层受到广泛关注。氧化镓（GaOₓ）具有超宽带隙（≈4.8 eV）、高电子迁移率以及因其丰富的固定电荷而具有优异的场效应钝化能力，但其在钝化接触中的应用尚未被探索。
钙钛矿基叠层太阳能电池是下一代光伏技术的关键。作为核心组成部分，载流子传输层（CTL）在单结与叠层钙钛矿电池中均面临界面接触不良和载流子传输效率低等问题。
