摘要：掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题，研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触(PERC)电池片在400 W/m2光照下200 ℃保温10 min进行再生处理，结果发现未经再生处理的寿命片光照1710 min后少子寿命衰减率为63.33%，电池效率衰减率为4.32%，再生处理后样品的衰减率分别降低至5%和0.48%，表明再生处理能有效抑制晶硅电池的光致衰减效应。未经再生处理的寿命片光照前后硼氧(B-O)复合体浓度分别为1.38×1011和7.01×1011 cm-3，再生处理后的B-O复合体浓度分别为2.90×1010和4.44×1010 cm-3，再生处理后的寿命片光照后B-O复合体的浓度较处理前低一个数量级，且处于稳定的不会造成少子复合的再生状态。
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