“我们效率提升的速率几乎是行业平均的两倍。去年底，在同条件的对比测试中，直接硅片的效率超过了高效多晶参考组。这一最新效率充分证明了1366科技的技术继续快速提升效率的可能性，因为直接硅片工艺打破了铸锭切片技术的局限。”1366科技首席执行官弗兰克·范·米尔洛（Frank van Mierlo）说。
1366科技Direct WaferTM
据悉，相比于高效多晶产品，1366科技的技术路线图清晰地展示了直接硅片产品不仅可以使成本更低，而且能让其电池转化效率明显提高。更高的效率来自于其特有的制造工艺。
•高纯的生长环境：直接硅片工艺采用的热场材料洁净度远高于定向凝固铸锭中使用的坩埚和涂层。硅锭在其熔点附近超过1天的时间，会使得坩埚和涂层中的杂质向硅锭扩散。1366科技的工艺避免了扩散污染的产生。
•更好的微观结构：多晶生长过程中产生的位错极大地影响了硅片品质。而直接生长工艺在同等条件下每次生长一片硅片，可避免位错的产生，让硅片更加均匀和高效。
•掺杂浓度渐变：改变掺杂体在硅片正反两面的浓度，在硅片内形成掺杂浓度的渐变，可以使电子的收集更加有效，促进效率提升。无需增加成本而操控掺杂浓度是普通切片工艺（无论多晶还是单晶）均无法实现的。
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