索比光伏网讯:太阳能电池生产过程如下图所示，在组装环节，我们使用电池片PVCell焊接、层压成为组件Modules。当太阳能电池板通反向电流时，电池板会发热，电池板缺陷部分阻抗比较大发热量也大，成为过热区域；当太阳能电池板出现短路情况，出现过冷区域。无论过热还是过冷都有问题，我们可以通过红外热像仪观察电池板的热区和冷区。
首先选择有电性能缺陷的单片电池片做实验，单片电池片表面为硅材料，没有层压玻璃薄膜。使用恒流电流源对电池片接通反向1A电流，电池片逐渐升温，当电池片的整体温度达到40℃时，缺陷部位升温较快已达到60℃左右。如下图左，电池片右上方区域存在过热区域。
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我们将恒流电流源反向接通到太阳能电池组件上，电流大小9A。从红外热像仪观察，组件升温缓慢，但是仍然出现了热区和冷区，出现缺陷的位置与客户划定的缺陷区域吻合。下图右是组件的检测，电池组件存在过热和过冷区域，该电池存在缺陷并有部分短路。
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通过对钙钛矿/C界面进行分子调控以减少缺陷密度，对实现高效稳定的倒置型钙钛矿太阳能电池至关重要。然而，取代基柔韧性对钝化性能的影响仍未得到充分理解。研究发现，柔性中心取代基显著增强了吡啶基团的电子云密度，从而提升了其钝化能力，同时抑制了分子聚集并促进了更好的界面接触。
钝化接触是实现高效晶体硅（c‑Si）太阳能电池全部潜力的关键赋能技术。过渡金属氧化物（TMOs）因其宽带隙、可调的功函数（WF）和有效的表面钝化能力，作为钝化接触层受到广泛关注。氧化镓（GaOₓ）具有超宽带隙（≈4.8 eV）、高电子迁移率以及因其丰富的固定电荷而具有优异的场效应钝化能力，但其在钝化接触中的应用尚未被探索。
光学带隙测试结果表明，Rh-Py的带隙为2.63eV，其他CILs则分别为2.91eV、2.84eV和3.06eV。进一步实验表明，Rh-Py由于其强分子内偶极矩，能够显著调节银电极的功函数，而其他CILs如TZD-Py、Rh-Th和Rh-Ph则显示出较小的调节作用。这项研究将Rh-Py作为反溶剂添加剂应用于钙钛矿太阳能电池，以实现界面缺陷钝化和能级调节。
AP中的硫代羧酸盐基团可强螯合欠配位Pb，钝化缺陷并抑制铅泄露；其含氮部分与I形成氢键，抑制碘空位形成。本工作证明了AP作为高效界面调控剂的有效性，并为稳定高效全无机PSCs的多功能分子工程提供了新思路。高效缺陷抑制与能级优化：AP处理显著提升薄膜结晶质量、降低陷阱态密度，并优化钙钛矿/空穴传输层能级对齐，实现高达22.16%的转换效率与1.29V的高开路电压。
通过协同利用分子内偶极与锚定基团-金属电极间形成的偶极，Rh-Py可显著增强界面偶极矩，不仅有效强化内建电场，还优化了有机太阳能电池的欧姆接触，使其能量转换效率突破20%。此外，Rh-Py与Pb之间的强相互作用可有效钝化钙钛矿薄膜中的Pb缺陷。
近期，一项关于“4-肼基苯甲酸(HZBA)添加剂”的研究，为解决这些难题提供了有效方案，让锡铅钙钛矿太阳能电池的光电转换效率实现显著突破。
埋底界面尤其存在结晶质量差、缺陷密度高等问题。本研究南开大学陈永胜和刘永胜等人提出一种一步法策略，通过在钙钛矿前驱体溶液中引入有机阳离子卤化物盐，诱导在埋底界面自发形成近相纯二维钙钛矿。
近日，澳大利亚新南威尔士大学的研究人员与该大学衍生公司BTImaging合作，正在通过一项耗资140万澳元的项目推进BC太阳能电池检测技术的落地。
中国几所大学的研究人员报告说，通过引入三氟甲磺酸钠作为双功能离子调节剂，钙钛矿太阳能电池制造取得了进展。本研究建立了一种综合分子水平策略，用于调节钙钛矿体系中的结晶动力学和缺陷化学。NaOTF介导的离子调控框架为高效、长期稳定的钙钛矿太阳能电池的设计提供了一种通用且可扩展的途径，为下一代光电器件中的受控晶体生长和缺陷钝化提供了宝贵的指导。
钙钛矿太阳能电池展现出令人瞩目的光电转换效率，但其稳定性仍不足以满足工业化商业需求，主要归因于钙钛矿材料中固有的缺陷和卤素离子迁移。将该大环分子通过反溶剂注入法引入钙钛矿薄膜中，可调控钙钛矿结晶过程并抑制卤素阴离子迁移。最终，基于NBP的PSCs实现了25.38%的PCE，并在室温N气氛下1太阳光照射下进行1000小时最大功率点跟踪后仍保持95.8%的初始效率。
界面工程已成为解决钙钛矿与空穴传输层之间界面缺陷和能级失配问题的有效策略。该空穴界面分子设计策略为实现钙钛矿太阳能电池的高效率和高运行稳定性提供了可行路径。
