索比光伏网讯:
“建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究开发与产业化。”
全国人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任谢超英在接受《中国电子报》记者专访时说，他向大会提出了加快IGBT（绝缘栅双极晶体管）产业发展的建议，建议国家高度重视IGBT产业发展。
IGBT应用需求巨大
我国IGBT消费市场目前的规模约80亿元，到2020年可能达到300亿元的规模。
谢超英向《中国电子报》记者介绍说，IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。
近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体技术已被广泛应用。“目前，中国是世界上最大的功率半导体器件消费国，但作为产业链高端的功率芯片则全部依赖进口，这势必影响国民经济的安全、可持续发展。建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究开发与产业化。”
谢超英对记者说，我国IGBT技术取得了一定突破，应用需求巨大。IGBT芯片技术方面，中国南车建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线，去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线，8英寸3300V芯片已完成试制与测试，6500V芯片已研发出合格样品。IGBT模块技术方面，封装IGBT模块所用芯片大多由国外公司提供，国产IGBT芯片年产值不到1亿元。但我国却是全球最大的功率半导体消费市场，市场潜力巨大。其中，我国IGBT消费市场目前约80亿元的规模，到2020年可能达到300亿元的规模。
在谢超英看来，我国IGBT产业发展制约因素较多，亟待突破。一是没有形成创新体系，二是缺乏完整的生产线，三是配套产业薄弱，关键材料的国产化已成为我国IGBT产业快速发展的一大制约因素。
出台扶持政策加快产业化
建议国家出台扶持政策，依托优势企业，推进IGBT产业化并形成规模优势。
谢超英说，IGBT作为电能变换的关键部件，是现代科学、工业和国防的重要核心技术。为尽快改变我国功率半导体芯片基本依赖进口的局面，他建议国家出台扶持政策，依托国内优势企业，通过示范和引导，大力推进我国IGBT产业化并形成规模优势。
一是设立国家重大科技专项支持IGBT技术研发与产业化。建议设置功率半导体重大专项，支持IGBT等功率器件技术升级与产业拓展。探索IGBT研发与产业化的“后补助”政策，通过“事前申报、事后认定”的方式给予IGBT科技创新主体经费补助，推进IGBT技术的持续创新，加速科技成果产业化。
二是鼓励与支持国产IGBT器件的进口替代及应用推广，以器件应用拉动IGBT产业化进程。同时，对轨道交通、新能源、电动汽车、家电等IGBT主要应用领域提供政策性补贴，通过政府采购、节能工程、示范工程等政策，加快推动国产IGBT应用的多点突破，加强器件、系统、装置与应用全产业链的合作。
三是建设国家级创新平台培育IGBT产业集群。建议以中国南车建设的国内首条8英寸IGBT生产线为基础，建设功率半导体国家级科技创新平台，引领行业技术、标准发展。依托中国南车等优势企业建立IGBT芯片基地和IGBT应用产业基地，汇聚功率器件上下游产业，形成国内首个国产IGBT千亿元产业基地，示范和引领产业发展。
四是出台税收等政策支持IGBT国产化。对于成熟的国产IGBT制造企业持续性投入，予以项目资金支持，减免销售收入增值税，并逐步提高进口IGBT的关税，减轻国产IGBT的市场价格竞争压力，促进我国IGBT产业的健康发展。
“建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究开发与产业化。”
全国人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任谢超英在接受《中国电子报》记者专访时说，他向大会提出了加快IGBT（绝缘栅双极晶体管）产业发展的建议，建议国家高度重视IGBT产业发展。
IGBT应用需求巨大
我国IGBT消费市场目前的规模约80亿元，到2020年可能达到300亿元的规模。
谢超英向《中国电子报》记者介绍说，IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。
近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体技术已被广泛应用。“目前，中国是世界上最大的功率半导体器件消费国，但作为产业链高端的功率芯片则全部依赖进口，这势必影响国民经济的安全、可持续发展。建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究开发与产业化。”
谢超英对记者说，我国IGBT技术取得了一定突破，应用需求巨大。IGBT芯片技术方面，中国南车建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线，去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线，8英寸3300V芯片已完成试制与测试，6500V芯片已研发出合格样品。IGBT模块技术方面，封装IGBT模块所用芯片大多由国外公司提供，国产IGBT芯片年产值不到1亿元。但我国却是全球最大的功率半导体消费市场，市场潜力巨大。其中，我国IGBT消费市场目前约80亿元的规模，到2020年可能达到300亿元的规模。
在谢超英看来，我国IGBT产业发展制约因素较多，亟待突破。一是没有形成创新体系，二是缺乏完整的生产线，三是配套产业薄弱，关键材料的国产化已成为我国IGBT产业快速发展的一大制约因素。
出台扶持政策加快产业化
建议国家出台扶持政策，依托优势企业，推进IGBT产业化并形成规模优势。
谢超英说，IGBT作为电能变换的关键部件，是现代科学、工业和国防的重要核心技术。为尽快改变我国功率半导体芯片基本依赖进口的局面，他建议国家出台扶持政策，依托国内优势企业，通过示范和引导，大力推进我国IGBT产业化并形成规模优势。
一是设立国家重大科技专项支持IGBT技术研发与产业化。建议设置功率半导体重大专项，支持IGBT等功率器件技术升级与产业拓展。探索IGBT研发与产业化的“后补助”政策，通过“事前申报、事后认定”的方式给予IGBT科技创新主体经费补助，推进IGBT技术的持续创新，加速科技成果产业化。
二是鼓励与支持国产IGBT器件的进口替代及应用推广，以器件应用拉动IGBT产业化进程。同时，对轨道交通、新能源、电动汽车、家电等IGBT主要应用领域提供政策性补贴，通过政府采购、节能工程、示范工程等政策，加快推动国产IGBT应用的多点突破，加强器件、系统、装置与应用全产业链的合作。
三是建设国家级创新平台培育IGBT产业集群。建议以中国南车建设的国内首条8英寸IGBT生产线为基础，建设功率半导体国家级科技创新平台，引领行业技术、标准发展。依托中国南车等优势企业建立IGBT芯片基地和IGBT应用产业基地，汇聚功率器件上下游产业，形成国内首个国产IGBT千亿元产业基地，示范和引领产业发展。
四是出台税收等政策支持IGBT国产化。对于成熟的国产IGBT制造企业持续性投入，予以项目资金支持，减免销售收入增值税，并逐步提高进口IGBT的关税，减轻国产IGBT的市场价格竞争压力，促进我国IGBT产业的健康发展。
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