索比光伏网讯:松下公司(Panasonic Corporation)商业规格(143.7 cm²)的单晶硅“HIT”太阳能电池日前实现25.6%创纪录的转换效率。
效率纪录的一个关键性突破是首次在其异质结技术中启用背接触电极。此前该公司创下的纪录为2013年二月启用一款101.8 cm²电池产生24.7%的转换效率。
然而，松下表示，降低复合损耗、光损耗和电阻损耗是该效率纪录的贡献因素。电阻损耗的减少是迁移至背接触电池的一个关键方面，同时将短路电流密度(Jsc)提高到41.8mA/cm²来自背接触电池的贡献，而此前为39.5mA/cm²。
松下表示，其此前的HIT电池结构上表面电极已经得到更薄栅极电极的优化，但是当电流转移至栅极电极，在电池背面放置电极降低了电阻损耗。该公司还报告通过改善非晶薄膜硅层的电阻损耗，0.827的高填充因子(FF)。
上表面非晶硅的沉积改善还导致每摄氏度-0.25%的高温度系数，其造成在高开路电压(Voc)及高温条件下。稳定的高转换效率。
松下表示，其正在考虑未来批量生产该背接触电池，但是没有给出时间表。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201404/10/192848.html
效率纪录的一个关键性突破是首次在其异质结技术中启用背接触电极。此前该公司创下的纪录为2013年二月启用一款101.8 cm²电池产生24.7%的转换效率。
然而，松下表示，降低复合损耗、光损耗和电阻损耗是该效率纪录的贡献因素。电阻损耗的减少是迁移至背接触电池的一个关键方面，同时将短路电流密度(Jsc)提高到41.8mA/cm²来自背接触电池的贡献，而此前为39.5mA/cm²。
松下表示，其此前的HIT电池结构上表面电极已经得到更薄栅极电极的优化，但是当电流转移至栅极电极，在电池背面放置电极降低了电阻损耗。该公司还报告通过改善非晶薄膜硅层的电阻损耗，0.827的高填充因子(FF)。
上表面非晶硅的沉积改善还导致每摄氏度-0.25%的高温度系数，其造成在高开路电压(Voc)及高温条件下。稳定的高转换效率。
松下表示，其正在考虑未来批量生产该背接触电池，但是没有给出时间表。
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