美对中太阳能双反扩大的听证会,原预定于美东时间21日上午召开,不过根据最新消息,听证会已因当地下大雪而取消,后续再召开的时程尚未确定。
美对中太阳能双反范围扩大,主要是台湾电池厂出给中国模组厂,间接输美的部分可能受到影响。台厂包括茂迪、昱晶、新日光等已组团赴美参与上述听证会,希望为自身答辩。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201401/22/223371.html
美对中太阳能双反扩大的听证会,原预定于美东时间21日上午召开,不过根据最新消息,听证会已因当地下大雪而取消,后续再召开的时程尚未确定。
美对中太阳能双反范围扩大,主要是台湾电池厂出给中国模组厂,间接输美的部分可能受到影响。台厂包括茂迪、昱晶、新日光等已组团赴美参与上述听证会,希望为自身答辩。
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当地时间11月26日,美国贸易代表办公室,将把针对中国技术转让和知识产权问题、依据301条款调查所设立的关税的豁免延长至2026年11月10日。现有豁免条款原定于今年的11月29日到期。14项HTSUS税目9903.88.70以及美国注释U.S.note20定义的税号产品,主要是太阳能和硅片制造设备等多个领域,具体如下:
对湿气引起降解的理解是钙钛矿太阳能电池长期稳定性面临的主要问题之一,这严重限制了其实际应用。在这些因素中,由于钙钛矿层本身的固有不稳定性,湿度对组件效率的影响尤为严重。总之,作者研究了柔性钙钛矿太阳能电池组件在85℃/85%相对湿度条件下老化过程中光伏参数的变化。另一方面,使用WVTR为0.005g/m·day的适当封装膜封装的模块表现出卓越的模块稳定性,在经过2700小时的DH测试后PCE仍接近80%,且没有发生严重失效。
在低温加工下的碳基钙钛矿太阳能电池因其增强的稳定性和经济高效性而受到关注。然而,这些优点往往被器件性能下降所抵消,主要原因是空穴传输层与碳电极之间的电荷传输效率低。箭头表示空穴传输的方向。有机–无机杂化钙钛矿太阳能电池在过去十年中其光电转换效率经历了显著提升,从3.8%上升至27.0%。此外,Spiro-OMeTAD与碳电极之间的接触不良限制了界面电荷转移,导致器件性能下降。
更重要的是,由于钙钛矿体相的本征特性,这种电子积累效应延伸至整个钙钛矿吸收层,使其平均电子浓度提升约40倍,从而大幅增强了电子电导率,降低了传输损失。Figure4展示了最终器件的卓越性能和稳定性。
近期,超过20个美国州组成的联盟正在就取消70亿美元的"全民太阳能计划"起诉特朗普政府。来自20个州的检察长及另外三州代表因环境保护署及其署长LeeZeldin于八月"非法终止并收回""全民太阳能计划"资金而提起诉讼。各州已对环保署提起两项诉讼。起诉方指出,尽管国会从未要求环保署收回已拨付的"全民太阳能"资金,但Zeldin"错误声称"环保署对该计划没有法定授权和专项资金。
近日,美国光伏企业GAFEnergy依据《员工调整与再培训通知》法案提交文件,宣布计划于12月13日关闭其位于加利福尼亚州圣何塞的总部及研发制造基地,并将业务整体搬迁至德克萨斯州乔治顿市,此次调整将导致138名员工失业。此次搬迁涉及的138名失业员工涵盖技术人员、工程师和管理人员等多个岗位,目前关于员工安置的具体方案尚未进一步披露。业内人士表示,在政策环境与市场格局双重变化下,美国太阳能企业的区域布局调整可能将成为行业常态。
近日,中煤(融水)储能有限公司成立,法定代表人为杜兴源,注册资本5000万元。经营范围包含发电业务、输电业务、供(配)电业务;太阳能发电技术服务;储能技术服务;新兴能源技术研发等。股权数据显示,该公司由中煤电力有限公司全资持股。
近日,美国土地管理局(BLM)官网更新信息显示,位于内华达州拉斯维加斯西北部的埃斯梅拉达七号太阳能发电场已被列为 “取消” 状态。这一决定被视为美国总统特朗普政府限制可再生能源发展的最新举措。
自组装分子因其可调控性和低成本合成优势,成为钙钛矿太阳能电池中极具前景的空穴传输材料。研究发现,PA基团的位置显著影响SAMs的功函数,进而调控电荷收集效率与器件性能。这种分子堆叠方式的变化改变了界面电学特性与稳定性,其中面朝上构型通过增强与钙钛矿界面的结合强度,降低了串联电阻并提升了光热稳定性。本研究凸显了分子设计在优化SAMs取向与界面特性方面对提升钙钛矿太阳能电池效率与耐久性的重要性。
美国当地时间周一,由工会、非营利组织、太阳能企业及房主组成的联盟正式对环境保护署提起诉讼,质疑该机构终止“全民太阳能”计划的合法性。2024年4月,EPA曾宣布该计划将惠及超90万户低收入家庭,助力其降低用电成本并减少碳排放。随着“大美丽法案”的通过,GGRF基金及“全民太阳能”计划被正式取消。这一先例为本次诉讼的审理路径埋下伏笔。目前,EPA尚未对诉讼作出公开回应,但舆论已担忧政策反复的负面影响。
将CdTe与Se合金化形成CdSeTe半导体虽降低了复合,但CdSeTe中存在更复杂的缺陷态,会因载流子陷阱和陷阱限制的迁移率而限制效率进一步提升。



