晶盛机电：CFZ单晶炉及8英寸区熔炉研制成功 打开新增长空间

索比光伏网讯:2013年6月4日,晶盛机电公司公告称直拉区熔法(CFZ)专用单晶炉取得了重要进展;客户采用公司的CFZ法单晶炉比传统设备拉晶速度提高了35%,月产能较传统设备提高近25%,晶棒成本下降40%以上,并成功拉制出多颗高效太阳能用CFZ单晶;同日,公司公告称8寸区熔硅单晶炉获得重大进展,在合作单位现场成功拉制出8英寸气相掺杂单晶硅,是目前国产区熔设备上拉制出的尺寸最大的气掺区熔单晶棒,比传统区熔单晶棒生产成本降低20%~30%,并且各项技术指标均已达到国际领先水平。

与中环股份深入合作,实现强强联手:中环股份拥有50余年的半导体晶体生产历史和专业经验,技术研发水平国内领先,其区熔硅单晶/片的国内市场占有率超过70%以上,全球市场占有率超过12%,是中国最大、全球第三的供应商。中环股份利用公司生产的专用炉拉制的CFZ硅单晶杂质少、氧含量低、光电转换效率高,结合国际电站巨头Sunpower的电池技术制成的光伏电池转换效率高达24%。公司与优秀的下游企业密切合作,共同研发有助于公司在同行中保持领先地位。优秀的下游企业选择与公司合作也是对公司研发水平、生产能力的一个佐证。

CFZ专用单晶炉效率高、显著降低晶棒成本:公司研制的CFZ专用炉平均拉晶速度达到1.75mm/min,比传统设备拉晶速度提高了35%,月产能较传统设备提高25%,晶棒成本下降40%以上。CFZ晶棒成本40%以上的下降足以让CFZn型片具备和普通直拉n型片竞争的实力,将极大地推动CFZ技术产业化的进程。CFZ技术产业化将直接拉动公司CFZ单晶炉的需求,未来增长空间非常广阔。

8英寸区熔炉实现国产,半导体设备领域的又一个里程碑:与中环股份联合承担并由公司研制的国家科技重大专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》之“8英寸区熔硅单晶炉国产设备研制”课题的区熔炉在中环股份成功拉制出8英寸气相掺杂单晶硅,其各项技术指标均达到国际领先水平,并且成本可降低20%~30%。公司8英寸区熔炉研制成功标志着我国在大尺寸区熔炉领域打破国外垄断,并且具备明显的技术和成本优势。区熔炉的国产化有助于降低区熔过程的设备投资,和设备供货周期,推动中环股份CFZ项目的实施。另外8英寸区熔硅在半导体领域非常好的应用前景,尤其是在IGBT大功率器件领域。据估计,我国IGBT需求将进入快速增长期,公司区熔炉市场前景可期。

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