博世太阳能（阿恩施塔特，德国）和哈梅林太阳能研究所（ISFH，Emmerthal，德国）已经使用离子注入指叉背结背接触（IBC）技术，产生出了22.1％的高效晶体硅（C-Si）的太阳能光伏（PV）电池。
这是一个结果博世SE和ISFH的IBC技术的联合开发计划。正方形的156毫米太能能板子上的光伏电池已达到5.32瓦峰值输出，创造了单结硅光伏电池的记录，组织预计使用该技术将实现更高的电池输出。
博世SE和ISFH的在一份新闻声明表示：“IBC电池是下一代太阳能电池有吸引力的概念，因为前端金属化光学阴影造成的视觉阴影损失是可以避免的，背面侧的金属化可以完全无银的条件下进行。”
“IBC-细胞应用了新颖和智能模块互连的概念，突出的优点是充分利用高电压，异常高的电流密度和外形美观。”
离子注入技术简化降低IBC成本
博世SE和ISFH的进一步指出，IBC电池工艺步骤是复杂的，离子注入可以让该步骤大大简化，注入是单面的单面的，并通过插入离子束上的荫罩完成构图。
该组织指出，只有一个高温步骤是必需的。这是由于使用了简化的过程流离子注入技术，可以大大减少IBC电池的成本结构。
工业生产过程的使用
博世和ISFH的也报告说，他们能够通过使用标准的工业技术和工具，而不是实验室方法来培养这些细胞来生产出这些电池。另外，电池是使用了n型硅晶片根据使用的是标准的Czochralski工艺法生产的
电池的开路电压为676mV，短路电流密度为51.6mA/cm2和占空因数为78.5％。组织状态，他们表示已经确定了潜在的开路电压和填充因子的进一步改善的潜力。
该项目得到了离子注入制造商为应用材料公司（美国加利福尼亚州圣克拉拉）。
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