索比光伏网讯:日立化成开发出了可蚀刻氮化硅（SiN）的浆料，并在第12届国际纳米技术综合展（nano tech 2013）上展出。只要利用丝网印刷工艺使该浆料成形，便可只去除浆料下面的SiN。日立化成的目标是将这种浆料用于太阳能电池及MEMS制造工序等。
在结晶硅型太阳能电池的制造工序中，通常要在硅电池单元的受光侧用SiN形成防反射膜。而且在该防反射膜上形成Ag电极后，还要进行“Fire Through”加工，在数百℃下加热，使Ag电极与硅电池单元接触。
使用此次浆料的话，无需使用Fire Through这一高温工艺即可实现Ag电极与硅电池单元的接触。
在蚀刻工序中，首先利用丝网印刷工艺在想蚀刻的部位印刷浆料，然后在170℃下加热5分钟，这时浆料就会产生蚀刻剂，对浆料下面的SiN进行蚀刻。蚀刻后只要用水清洗，即可去除浆料及其下面的SiN部分，获得硅电池单元。最后，再在去除了SiN的部分形成Ag电极，这样便可实现Ag电极和硅电池单元的接触。
目前，这种浆料可形成的线幅为100μm左右，可蚀刻的SiN深度为100nm。日立化成今后将根据太阳能电池厂商等的需求，以准进一步细线化等为目标，继续推进开发。
在结晶硅型太阳能电池的制造工序中，通常要在硅电池单元的受光侧用SiN形成防反射膜。而且在该防反射膜上形成Ag电极后，还要进行“Fire Through”加工，在数百℃下加热，使Ag电极与硅电池单元接触。
使用此次浆料的话，无需使用Fire Through这一高温工艺即可实现Ag电极与硅电池单元的接触。
在蚀刻工序中，首先利用丝网印刷工艺在想蚀刻的部位印刷浆料，然后在170℃下加热5分钟，这时浆料就会产生蚀刻剂，对浆料下面的SiN进行蚀刻。蚀刻后只要用水清洗，即可去除浆料及其下面的SiN部分，获得硅电池单元。最后，再在去除了SiN的部分形成Ag电极，这样便可实现Ag电极和硅电池单元的接触。
目前，这种浆料可形成的线幅为100μm左右，可蚀刻的SiN深度为100nm。日立化成今后将根据太阳能电池厂商等的需求，以准进一步细线化等为目标，继续推进开发。
