金太阳示范工程关键设备基本要求(2012年)
一、电池组件
(一)性能要求
1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)≥14.45%，非晶硅薄膜组件≥7%，CIGS薄膜组件≥10%。
2、工作温度范围-40C +85C，初始功率(出厂前)不低于组件标称功率。
3、使用寿命不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶体硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%,25年内不高于20%。
4、晶体硅和非晶体硅薄膜组件分别按照GB/T9535(或IEC61215)和GB/T18911(或IEC61646)以及GB/T20047(或IEC61730)标准要求，通过国家批准论证机构的认证，关键部件和原材料(电池片、封装材料、玻璃面板、背板材料、焊接材料、接续盒和接线端子等)型号、规格及生产厂家与认证产品一致。
(二)生产企业资质要求
1、在中华人民共和国注册的独立法人，注册资本在1亿元人民币以上。
2、具有三年以上相关产品独立生产、供应和售后服务的能力。晶体硅组件企业的生产能力不低于500 MWp，2011年实际发货量不低于300 MWp(以海关报关单或销售发票为准)。非晶体硅薄膜组件企业的生产检验能力不低于，薄膜组件企业的生产检验能力不低于30MWp。
3、配备AAA级太阳模拟器、组件隐裂测试设备、高低温环境试验等关键检验设备。
4、2009—2011年无重大质量投诉或合同违约责任。
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