索比光伏网讯:前两天有一位朋友问笔者冷氢化电加热器的损坏问题，由于目前国内的多晶硅生产企业真正运行冷氢化系统的没有几家，因此一直没有过多的进行关注。但看到他发过来的照片，发现加热器损坏还是蛮严重的。再结合以前就听说冷氢化经常因为设备、管道堵塞而不能正常运营，因此这两天静下心来仔细研究了一下冷氢化设备和工艺，结合笔者以前的经验提出自己对冷氢化的一些想法，供大家讨论。
或许是基于提升自身竞争优势原因，国内企业一直将冷氢化搞得非常神秘，不管有没有开车，开车是否正常，都将其限定在特定的人群，一定的范围之中。这样从表面上来看，技术保密对于企业非常重要，但是从生产运行的角度来看，过度的保密反而影响企业的生产技术发展，这点在企业没有完全掌握此项技术的时候表现的更为明显。没有开放式的共同研究，单凭有限的人员对工艺包的消化，很难快速的达到预期的效果。这一点需要国内的生产企业重新进行审视。
一、冷氢化技术的发展史：
根据冷氢化技术的专利申请人美国LXE公司技术顾问LarryColeman的介绍，冷氢化专利由其于1980提出，1982年批准，2002年过期。整个冷氢化的发展经历了以下过程：
(1)1948年，联合碳素UCC的分公司林德气体为了找到一种合成TCS的方法而最先开发了冷氢化技术，但在当时生产TCS是为了制备有机硅而非高纯硅。
(2)1950~1960，林德公司在西维吉尼亚建了一个用冷氢化技术生产TCS的生产线。同时，他们发现用Si+HCl的方式(合成法)来生产TCS更加经济，于是就将冷氢化技术搁置。
(3)1973年，当第一次石油危机来临后，美国政府开始寻找石油的替代能源，太阳能就是其中之一，很多公司参与了与之相关的研究(包括多晶硅的生产)，其中包括UCC。
(4)1977年，美国总统卡特授权美国航空航天署NASA寻找降低太阳能电池板生产成本的方法。此时，多晶硅的生产再次被提上议事日程。UCC当时介入了此事，便重新把硅烷技术(1971年发明)及冷氢化技术找出来，开始准备建立中试装置。
(5)1979~1981年，UCC在Washougal建立了一个做硅烷(100MTA硅烷)的中试工厂(生产硅烷的第一步生产TCS所采用的是可以闭路循环的冷氢化技术)，并成功生产出电阻率为10000的多晶硅。他们希望通过国家对太阳能级多晶硅的支持来提升其电子级多晶硅的名气，因为当时工厂还不能够生产电阻率如此高的电子级多晶硅。
(6)1983年，UCC在Moseslake开始建设1000MTA硅烷的扩大化工厂。但当时在位的总统里根为了解决石油企业利润微薄的问题，抽调了供给NASA研究廉价太阳能利用项目组的资金，叫停了太阳能产业的发展。此后，UCC对太阳能的利用失去了兴趣，于1989年将这个1000吨的硅烷工厂以三成的价格卖给了一个叫ASMI的日本企业。
(7)此后几年，ASMI又将50%的股份卖给了REC，至此REC开始进入多晶硅领域，冷氢化技术的工业化生产得以延续。REC也由此成为冷氢化生产技术新的开拓者。
