近日，中国国家硅产品质量监督检验中心(以下简称国家硅检中心)暨乐山高新区公共检测服务平台(以下简称检测服务平台)在四川乐山开工建设。该项目由四川省质监局与乐山市政府共同打造，规划面积20亩，计划建设各类检测工作用房2.3万平方米(其中包括3500平方米的恒温恒湿实验室)。国家硅检中心将分三期建设，到“十二五末”将全部建成，届时将填补中国在硅产品领域综合检验检测方面的空白。
国家硅检中心项目计划整合现有的和筹建中的7个省级检测中心和2个市级检测中心，预计到2012年8月，国家硅检中心将通过“实验室国家认可项目验收”，并开展检测工作。该硅检中心将具备工业硅、有机硅材料、三氯氢硅、气相白炭黑、高纯金属、光伏电池组件等硅材料和副产物产品的检验能力。
乐山检测服务平台将被打造为包括产品检测、技术研发、人才培训、标准信息服务为一体的公共服务平台，建成后将拥有超过200名专业技术人员，引入超过2000台各类理化、材料物理、机械性能、电器设备、能源计量等专业检测装备。
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2月20日，记者走进平鲁经济技术开发区三一硅能(朔州)有限公司5GW单晶生产车间，眼前是一派热火朝天的生产图景。三一集团项目于2023年7月落户朔州，立足朔州丰富的“风光”资源禀赋，发展硅能、光伏全产业链项目，目前已经实现了单晶硅拉晶、切片、电池、组件等光伏全产业链的自主研发和智能制造，成为硅能垂直一体化制造基地。
2025年8月1日，美国对进口自中国的晶体硅光伏产品发起第二次反倾销和反补贴日落复审调查，对进口自中国台湾地区的涉案产品发起第二次反倾销日落复审调查。
2月5日，海外规模最大的多晶硅生产基地——联合太阳能公司阿曼年产10万吨多晶硅项目，在阿曼苏哈尔自贸区正式开机。预计每年可支撑40GW太阳能组件生产，发电量足以满足至多1200万户用用电需求，同时每年有望减少880万吨温室气体排放。联合太阳能创始人兼董事长张龙根称，项目对公司、阿曼及全球光伏行业具有变革性意义，在OIA与IFC支持下，将搭建强化全球光伏供应链的基础设施，保障制造商获取符合国际高标准的高品质可追溯多晶硅。
2月3日，调整近一周时间的光伏板块再次迎来全线暴涨。从消息面来看，近日SpaceX关于构建太空数据中心方面的大动作为驱动光伏板块暴涨的主因，同时白银价格暴跌以及反内卷的持续深入也起到了推波助澜的作用。值得一提的是，今日光伏设备厂商掀起涨停潮，市场普遍预期随着太空光伏需求预期的不断强化，设备先行下光伏订单有望大规模落地。
2025年12月31日，新疆仕邦光能科技有限公司(原新疆晶科能源有限公司)发布晶硅钙钛矿叠层涂布系统采购项目招标公告。
近日，成都建工安装-乐山协鑫新能源新建10万吨/年颗粒硅项目厂前区建筑、安装工程保温材料采购任务公开招标。本项目由成都建工工业设备安装有限公司承建，项目地址位于四川省乐山市五通桥区桥沟镇龙翔路，业主为乐山协鑫新能源科技有限公司。与此同时，协鑫集团即将参与行业重要会议。本次采购过程中，采购人仅接受响应单位通过成建e采平台提交的响应文件，不接受通过其他方式提交的书面响应文件。
Huang等人关键发现：溴杂质意外提升性能意外发现：商用SAM材料4PADCB中意外含有溴代杂质，这些杂质反而提升了叠层电池性能。低滞后性：Mix和C-4PADCB电池滞后明显小于纯Bz-PhpPACz（图5B）。
前言：钙钛矿-硅串联太阳能电池的实验室效率已接近35%。我们采用基于蒸汽的共蒸发方法，在金字塔纹理硅基底上均匀沉积高质量的钙钛矿层，从而制备出效率、稳定性和可重复性都得到增强的钙钛矿–硅串联太阳能电池。利用TFPTMS调控吸附动力学带来的薄膜质量提升，钙钛矿–硅叠层太阳能电池在工业纹理化硅片上实现了超过31%的光电转换效率，并具有增强的可重复性。钙钛矿–硅叠层太阳能电池的EQE谱和反射曲线。
2025年12月18日新加坡国立大学侯毅于Science刊发在绒面硅上实现最佳钙钛矿蒸汽分配实现高稳定性叠层太阳能电池的研究成果，在绒面硅衬底上实现平衡的蒸汽分配是形成高质量钙钛矿薄膜并确保器件性能的先决条件。研究表明，有机物种（例如FA+）与金字塔形织构表面的相互作用较弱，导致吸附不足和相杂质的出现
通威股份光伏首席技术官邢国强博士通过视频作下届大会承办交接致辞通威股份光伏技术中心经理樊华龙从CSPV大会副主席兼秘书长沈文忠手中接过换届旗帜通威股份光伏技术中心高级工程师吴林博士受邀出席并作主题演讲，分享钙钛矿-晶硅叠层电池开发的最新进展。承办下一届CSPV大会，标志着通威在光伏技术创新领域的领先地位获得业界广泛认可。
中国制造商表示，该叠层电池采用双缓冲层策略开发，既提升了界面粘附力，又保持了高效的电荷提取。图片来源：隆基中国光伏组件制造商隆基宣布，其1平方厘米柔性钙钛矿-硅叠层太阳能电池实现了33.35%的功率转换效率。在标准照明条件下测试时，1cm串联电池效率为33.35%，开路电压为1.996V，短路电流密度为19.77mA/cm2，填充因子为84.5%。
