日本爱发科（ULVAC）将在苏州建设太阳能电池和面板用大型制造装置的生产基地。这是爱发科首次在中国建设太能电池制造装置工厂。此前，由于技术难度高，该公司的上述装置主要在日本国内生产。为避免汇率风险及降低生产成本，爱发科决定在华生产。
新工厂将设于爱发科在苏州的电子部件和LED制造装置生产工厂的毗邻。预定2011年4月开工，2011年12月竣工。建筑面积最初为3000m2，今后将根据需求逐步扩大。
新工厂主要生产支持薄膜硅太阳能电池微结晶硅成膜用的第5.5代底板的PE-CVD装置“CIM-1400”和支持液晶面板用第8代底板的溅镀装置“SMD-2400”等。生产台数方面，预定2012年为10台，2015年为50台。
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12月30日，由协鑫能科深度参与建设并全程提供技术支持的苏州工业园区虚拟电厂管理平台暨管理中心正式上线和揭牌。苏州工业园区开发建设30多年，在国家级经开区综合考评中实现“九连冠”。今年，印发《苏州工业园区虚拟电厂建设实施方案》。数据显示，截至12月26日，苏州工业园区虚拟电厂管理平台已接入聚合商6家、用户81家，聚合可调资源总容量50兆瓦，形成多类型资源协同生态。
12月30日，由协鑫能科深度参与建设并全程提供技术支持的苏州工业园区虚拟电厂管理平台暨管理中心正式上线和揭牌。苏州工业园区开发建设30多年，在国家级经开区综合考评中实现“九连冠”。今年，印发《苏州工业园区虚拟电厂建设实施方案》。数据显示，截至12月26日，苏州工业园区虚拟电厂管理平台已接入聚合商6家、用户81家，聚合可调资源总容量50兆瓦，形成多类型资源协同生态。
近日，印度光伏制造商Emmvee Photovoltaic Power宣布，其旗下子公司Emmvee Energy位于卡纳塔克邦班加罗尔附近Sulibele Hoskote Taluk的2.5GW光伏组件厂正式投产，公司组件总产能由此提升至10.3GW，产能扩张计划按IPO招股书披露时间表顺利推进。
日前，江苏省发展和改革委员会正式发布《省发展改革委关于促进我省虚拟电厂高质量发展的通知》，明确重点建设首批100个虚拟电厂项目。其中，协鑫能源科技股份有限公司凭借行业领先的资源整合与运营管理能力，领跑江苏重点建设首批百项虚拟电厂榜单。
日前，江苏省发展和改革委员会正式发布《省发展改革委关于促进我省虚拟电厂高质量发展的通知》，明确重点建设首批100个虚拟电厂项目。其中，协鑫能源科技股份有限公司凭借行业领先的资源整合与运营管理能力，领跑江苏重点建设首批百项虚拟电厂榜单。《通知》公布了重点建设首批100个虚拟电厂项目。依托该平台，协鑫能科将进一步助力企业节能降碳、提质增效，为江苏省新型电力系统建设和能源结构持续优化注入新动能。
AP中的硫代羧酸盐基团可强螯合欠配位Pb，钝化缺陷并抑制铅泄露；其含氮部分与I形成氢键，抑制碘空位形成。本工作证明了AP作为高效界面调控剂的有效性，并为稳定高效全无机PSCs的多功能分子工程提供了新思路。高效缺陷抑制与能级优化：AP处理显著提升薄膜结晶质量、降低陷阱态密度，并优化钙钛矿/空穴传输层能级对齐，实现高达22.16%的转换效率与1.29V的高开路电压。
近日，广西北海市行政审批局发布关于拟作出“瑞晶5GW高效光伏组件研发科创制造基地项目”环境影响报告表审批意见的公示。项目拟设置两条生产线，单条生产线产能为2.5GW/年，本项目总生产规模为5GW/年。项目建设单位为瑞晶能源（北海）有限公司，是创维爱旭（北海）太阳能科技有限公司全资子公司，其将基于爱旭集团的BC技术投资建设瑞晶5GW高效光伏组件研发科创制造基地项目。
近日，广西北海市行政审批局发布关于拟作出“瑞晶5GW高效光伏组件研发科创制造基地项目”环境影响报告表审批意见的公示。根据公示，项目总投资20亿元，主要从事光伏组件制造，拟建两条生产线，单条生产线产能为2.5GW，总生产规模为5GW。
2025年10月31日，上海证券交易所发布公告，因株洲科能新材料股份有限公司及其保荐人主动撤回发行上市申请，上交所终止其发行上市审核，这家国内高纯铟、高纯镓领域的龙头企业IPO之路就此搁浅。此次主动撤回申请的具体原因，株洲科能尚未对外披露。作为一家拥有核心技术与市场优势、业绩稳步增长的行业龙头，其IPO终止引发市场广泛关注，后续是否会重启上市计划仍有待观察。
钙钛矿层与空穴传输材料之间的界面缺陷和自由体积对钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性具有关键影响。结合实验表征和原子分子动力学模拟，发现AdF-BCz相较于无氟的NF-BCz和对称氟化的SdF-BCz，表现出更优异的界面钝化稳定性，以及与钙钛矿表面更强的粘附力。此外，AdF-BCz还能减少界面自由体积，促进更紧密的界面接触，有效抑制离子迁移和钙钛矿降解。
计算与实验分析表明：偕胺肟的氨基（-NH2）、羟基（─OH）和亚胺基（─C═N）可协同配位Pb2+调控结晶过程，而吡啶单元通过卤素-氮（halogen–N）配位有效键合碘分子（I2）以抑制碘相关缺陷。相较于2-PyA和4-PyA，间位取代的3-PyA因空间位阻效应更小且吸电子能力更弱，表现出更显著的相互作用。
