“此次的‘FCVD（Flowable CVD）’在从1987年以来持续20多年的CVD技术历史上，属于第四代CVD技术。通过该技术，可以不再需要SOD（Spin On Dielectric，旋转涂覆）”。美国应用材料（Applied Materials，AMAT）全球产品经理Tushar Mandrekar在接受专访时如是表示，意味着FCVD对应用材料来说是一项非常重要的战略技术。
在半导体工艺的绝缘膜形成中，此前一直同时采用真空成膜技术的一种——CVD以及涂覆技术SOD。CVD在通过气相产生的反应产物沉积后形成绝缘膜，SOD则是在涂覆液状物质后，对其进行烧结，最后形成绝缘膜。因此，SOD在原理上容易形成良好的嵌入特性，但同时为了形成液状而添加的材料容易作为杂质残留在绝缘膜中，而且由于需要进行烧结，因此SOD在工序数量和成本方面也容易处于劣势。
在这种情况下，此前擅长CVD的应用材料等厂商，为了扩大CVD的应用范围而进行了技术革新。技术革新的结果是，迄今为止的CVD大致出现了三项技术。即等离子CVD，Ozone（O3）CVD，以及高密度等离子CVD。但是，即便利用这三项技术，也无法驱逐SOD。原因是这三项技术有一个缺点：反应产物只是从上方沉积，因此像屋顶房檐一样向前突出、或悬臂形状的底部和侧面则难以成膜。
而FCVD由于“从上方沉积的反应物是液体”（Tushar Mandrekar），因此可以流动般地移动，悬臂形状的底部和侧面也可成膜。“对于各种绝缘膜形成工艺，我们拥有的四种CVD技术都可以对应”（Tushar Mandrekar）。该公司表示，为了使反应物形成液状，对CVD的化学反应和硬件两方面进行了改进。（记者：长广 恭明）
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