在太阳能光伏的发展过程中，可能谁都不会想到新泽西的大西洋赌城会扮演如此重要的角色。在大西洋赌城会展中心的屋顶上，覆盖了大量的太阳能光伏组件，这一工程在08年12月底竣工，凭借这样的贡献它应该受到大家的赞扬。
到目前为止，2.37MW的规模是美国国内最大的独立屋顶太阳能光伏发电系统——世界最大的是通用汽车在西班牙Zaragosa的太阳能阵列。13400块太阳能电池板将提供会展中心每年用电量的26% 。预计这一太阳能系统的建立，在以后的20年里将为会展中心节省440万美元的开支。
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通过对钙钛矿/C界面进行分子调控以减少缺陷密度，对实现高效稳定的倒置型钙钛矿太阳能电池至关重要。然而，取代基柔韧性对钝化性能的影响仍未得到充分理解。研究发现，柔性中心取代基显著增强了吡啶基团的电子云密度，从而提升了其钝化能力，同时抑制了分子聚集并促进了更好的界面接触。
前言：钙钛矿-硅串联太阳能电池的实验室效率已接近35%。我们采用基于蒸汽的共蒸发方法，在金字塔纹理硅基底上均匀沉积高质量的钙钛矿层，从而制备出效率、稳定性和可重复性都得到增强的钙钛矿–硅串联太阳能电池。利用TFPTMS调控吸附动力学带来的薄膜质量提升，钙钛矿–硅叠层太阳能电池在工业纹理化硅片上实现了超过31%的光电转换效率，并具有增强的可重复性。钙钛矿–硅叠层太阳能电池的EQE谱和反射曲线。
近年来，由于低温加工带来的高效率与运行稳定性优势，研究重点逐渐从正置转向倒置钙钛矿太阳能电池。本研究为设计钙钛矿成分以进一步提升PSCs性能与寿命提供了机理上的见解。
到2025年，英国屋顶太阳能光伏装置已达到206,682个，创下该行业的纪录，使英国经过认证的小型太阳能装置总数达到185万个。MCS指出，新建的屋顶太阳能项目一直是增长背后的“关键驱动力之一”;自2023年10月以来，新建建筑的太阳能部署占所有屋顶太阳能装置的32%，但在2025年前11个月，这一比例已增加到35%，这表明这些部署正在成为英国能源结构中越来越重要的一部分。如上图所示，2025年屋顶安装数据代表屋顶太阳能部署量连续第五年同比增长。
DCl介导的准二维钙钛矿引起的极化原理示意图。结果是形成了铁电准二维钙钛矿层，增强了电荷传输并抑制了整个界面的复合。当集成到基于隧道氧化物钝化接触的1.0cm整体钙钛矿/硅叠层电池中时，DCl介导的钙钛矿顶部电池可提供令人印象深刻的31.1%的PCE。
文件里，OpenAI首次正式对外发出警告：“美国需要每年新增至少100GW电力装机，否则将出现‘电子差距’。”根据其内部分析，美国电网的增长速度，已经落后于AI基础设施的扩张。但OpenAI的这封报告，把目光投向了更底层的能源供给。这份OpenAI提交的文件，其实是一次“能源预警”。OpenAI的“Stargate”项目OpenAI并不只是写信呼吁。每年100GW：一场新的基础设施竞赛OpenAI建议，美国应从2026年起，每年新增100GW发电和输电能力。
虽然NiO作为一种空穴传输材料引起了关注，但在钙钛矿太阳能电池功能背景下，其固有行为的系统性计算研究仍然缺乏。否则，电荷载流子将在HTL/钙钛矿界面处发生复合。随着起始能量超过可见光范围的最大边缘，这表明NiO在低能量区域具有较高的光学透射率。综上所述，这些结果将NiO定位为一种兼具机械稳定性、热耐久性以及优异光电性能的多功能HTM，使其成为新一代钙钛矿太阳能电池的有力候选材料。
2025年第三季度，美国太阳能制造商康宁公司位于密歇根州的工厂已启动硅锭和硅片生产。这一消息是在该公司公布在密歇根州建设太阳能硅锭和硅片制造厂计划近一年后传出的，该厂毗邻其子公司HemlockSemiconductor公司的多晶硅制造厂。康宁公司总裁兼首席执行官WendellWeeks表示：“过去18个月里，我们在密歇根州赫姆洛克的多晶硅制造厂旁，建成了美国最大的太阳能硅锭和硅片工厂，这是一项重大举措。”康宁公司硅片厂投产也标志着美国太阳能硅片生产在近十年后重现。
美国太阳能行业协会的主席兼首席执行官AbigailRossHopper已决定于2026年1月底卸任。自2017年加入该行业协会以来，Hopper已领导SEIA近九年。她在信中阐述了自2017年以来美国太阳能行业在下游和上游层面的发展历程。2024年底，美国自2019年以来首次开始生产太阳能电池。SEIA今年6月的一份报告预测，全美有33万个清洁能源工作岗位面临风险，多达331个制造基地将关闭或取消。尽管美国太阳能行业面临这些新的挑战，Hopper表示，她仍然"对我们的未来持乐观态度"。
激子扩散长度是有机太阳能电池的关键参数。近期研究表明，Y型NFA中会产生分子间电荷转移激子，但ICT激子形成对LD的影响尚未明确讨论。本文香港大学PhilipC.Y.Chow等人指出，由于皮秒时间尺度上ICT激子形成导致光学带隙附近光谱演化，忽略此现象可能导致瞬态吸收数据分析中显著高估Y型NFA薄膜的LD。此外，在使用激子-激子湮灭模型进行数值拟合时，采用ICT激子的本征弛豫寿命对于可靠提取扩散系数和LD至关重要。
所提出的方法无需依赖瞬态技术或传统假设完美载流子提取的IQE模型，即可快速评估器件界面性能。文章亮点：1.新型IQE线性化分析方法：通过强吸收与弱吸收极限下的IQE线性拟合，直接提取界面收集效率fc及其空间梯度，无需依赖瞬态测量或理想化假设。
