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Silicon Genesis公司填补20um“无切损”光伏箔空白

来源:美国商业资讯发布时间:2009-03-06 10:13:47作者:索比太阳能

加利福尼亚州圣何塞消息——工程基片工艺和技术的领先者Silicon Genesis今天宣布,它已生产出首家20um厚度太阳能电池箔。研究发现,这种125毫米见方的单晶硅箔既耐用,又有很高的柔性。新形态既非薄膜,也非晶片,因而被命名为“箔”(foil),以更好地描述这种薄、柔软、独立的材料的独特物理特性。这一成就是SiGen公司PolyMax™无切损切片技术发展的重要里程碑。

125mm x 125mm - First ever kerf-free 20um Mono c-Si Solar PV Foil (Photo: Business Wire)

在20um太阳能电池箔结合了薄膜光伏电池多晶硅用量低和单晶硅光伏电池高效潜力的优点。这都为大幅降低总生产成本创造了条件,从而可降低每瓦成本。预计该20um箔将把传统的硅光伏电池吸收材料技术延伸到未来。该单晶硅箔是最近展示的试验性地用流水线生产厚度150um和50um的原尺寸晶片连续开发的成果。这些试点能力正在用于开发大批量生产设备。

20um单晶硅箔的推出将使光伏电池制造商能够以具有成本效益的生产探索新的应用和形式。PolyMax 系统的无切损性质有助于节省原料,以及使用更薄的单晶硅晶片和箔发展新产品类型。

SiGen首席执行官Francois Henley说:“我们的20um晶体硅箔技术的高效潜力为太阳能光伏产业创造了新的机会。20um箔的柔性便于发展多种应用,如光伏建筑一体化(BIPV)和柔性光伏电池。这增强了我的信心,即薄膜技术的采用将受到超薄的PolyMax技术的成本和性能优势的限制。”

PolyMax系统概念和20um基片成果已在《光子》(PHOTON)杂志最近在德国慕尼黑举办的“第四届光伏技术展”上展出。

关于SiGen

Silicon Genesis Corporation (SiGen) 是向半导体、显示器、光电子器件和太阳能市场提供工程基片工艺技术的一家领先提供商。SiGen的技术用于生产“绝缘硅”(SOI) 半导体晶片,以用于高性能应用。SiGen通过薄膜工程来开发创新性的基片,为其客户开辟新的应用和市场。在SiGen的客户和合作伙伴中,不乏世界各地的顶尖基片和设备供应商。SiGen成立于1997年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞市。关于Silicon Genesis的更多信息,请访问 http://www.sigen.com

 

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