开发SOI(Silicon On Insulator)晶圆技术的美国Silicon Genesis公司2008年7月11日宣布,成功研制出使用“PolyMax”晶圆工艺技术的太阳能电池底板。该公司将使用该技术,涉足太阳能电池晶圆市场。
利用PolyMax技术制造的厚50μm的125mm晶圆
该公司此次制造了厚50μm的125mm晶圆样品。还计划在2009年春季之前,利用PolyMax晶圆工艺技术,启动将硅锭切割成厚50~150μm的晶圆的试验生产线。
该公司预定在2008年9月1~5日于西班牙举办的“23rd European Photovoltaic Conference”上,公开PolyMax晶圆工艺技术及其设备的详细情况。