从事知识产权相关咨询等业务的日本Intellectual Property Bank(以下简称IPB)公布了以自行指标对太阳能电池专利的质量高低进行评价的“申请人最高得分排名”。IPB通过对申请人、评审官和竞争对手对专利采取的行为等进行指数化分析来评价该专利的质量。此次，对各申请人持有专利中获得最高评价的一项专利的指数进行了排名。排名结果，前三位分别为夏普、北海道大学和佳能。
排名的对象是向日本专利厅提出专利申请的企业、大学、研究机构和个人。IPB以从1993年1月到2008年1月间发行的公开类专利公报（约6400件）为基础做了统计。排在第四位及其之后的依次是三洋电机、信越化学工业、信越半导体、TAK Materials、北村浩、京瓷及昭和电工。该排名与从专利的质量和数量两方面进行评价的“申请人得分排名”相比较，进入名单的成员稍有不同。
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近日，南京大学谭海仁教授团队联合仁烁光能(苏州)有限公司，攻克了钙钛矿薄膜生产中绿色溶剂制备以及薄膜制备均匀性的难题，实现了钙钛矿光伏组件光电转换效率和组件长期运行可靠性的双重突破。
印度的一个研究团队研究了基于室温工艺制备的非晶铟锌高导电透明电极在钙钛矿太阳能电池中的应用，这些器件可用于叠层和建筑集成光伏应用。其中包括在钙钛矿太阳能电池的后部透明电极中使用a-IZO。事实上，原型机的效率超过了基于c-ITO器件的15.84%功率转换效率。
中国制造商表示，该叠层电池采用双缓冲层策略开发，既提升了界面粘附力，又保持了高效的电荷提取。图片来源：隆基中国光伏组件制造商隆基宣布，其1平方厘米柔性钙钛矿-硅叠层太阳能电池实现了33.35%的功率转换效率。在标准照明条件下测试时，1cm串联电池效率为33.35%，开路电压为1.996V，短路电流密度为19.77mA/cm2，填充因子为84.5%。
宽带隙钙钛矿材料对叠层太阳能电池至关重要，但富Br软晶格可能引发严重的离子聚集与迁移，显著损害器件效率与稳定性。由此，晶体质量提升的钙钛矿薄膜表现出更高的离子迁移能垒和增强的界面载流子提取能力。这些协同效应使单结钙钛矿太阳能电池效率高达23.24%，单片钙钛矿/硅叠层电池效率达30.16%，并在热、湿、光应力下展现出优异的稳定性。
据报道，日本电子巨头夏普正计划量产轻质、高效、低成本的钙钛矿-硅叠层太阳能电池。报告显示，到2027财年，夏普将推出这些叠层电池，这些电池在传统硅上叠加钙钛矿，通过吸收更多光线来提高功率转换效率。钙钛矿材料非常薄且柔韧，因此可以适应各种地点，而且由于它使用国内的碘资源，这是日本能源安全的胜利—这一开发是日本和整个亚太地区引领钙钛矿太阳能技术商业化的更大运动的一部分。
虽然NiO作为一种空穴传输材料引起了关注，但在钙钛矿太阳能电池功能背景下，其固有行为的系统性计算研究仍然缺乏。否则，电荷载流子将在HTL/钙钛矿界面处发生复合。随着起始能量超过可见光范围的最大边缘，这表明NiO在低能量区域具有较高的光学透射率。综上所述，这些结果将NiO定位为一种兼具机械稳定性、热耐久性以及优异光电性能的多功能HTM，使其成为新一代钙钛矿太阳能电池的有力候选材料。
交联后的SAM在极性溶剂暴露下仍能保持结构完整性，减少了界面缺陷的形成，同时增强了载流子传输性能并改善了钙钛矿薄膜的结晶性。卓越的耐溶剂性与界面完整性：交联后的SAM在强极性溶剂处理后仍能保持高覆盖度和结构完整性，有效抑制了钙钛矿沉积过程中界面缺陷的产生，并诱导形成更大晶粒、更高质量的钙钛矿薄膜。
空穴选择层作为钙钛矿/硅叠层电池的关键部件之一，在促进载流子传输、保护钙钛矿、优化界面能级等方面发挥着至关重要的角色。近日，福建农林大学绿色光电器件与储能电池欧阳新华教授团队，基于前期本团队在钙钛矿/硅叠层电池空穴选择层的研究基础，在钙钛矿/硅叠层空穴选择层方面取得又一重要进展。相关成果“Fullyconjugatedbiscarboxylateself-assembledmoleculeenhancestheanchoringofconductiveoxideforefficienttexturedperovskite/silicontandemsolarcells”为题发表在国际高质量材料期刊AdvancedFunctionalMaterials上。
近日，清华大学材料学院林红教授团队合作在柔性钙钛矿太阳能电池埋底界面二甲基亚砜残留去除方面取得重要研究进展。动态接触角，热重分析及红外光谱等综合分析表明IDPAC分子能够通过化学钝化削弱SnO2与PbI2对DMSO的吸附作用，从而获得埋底界面孔洞消除、残余应力应变松弛的高质量柔性钙钛矿薄膜。清华大学材料学院2022级博士生张子灵为论文第一作者，清华大学材料学院教授林红和厦门大学教授李鑫为论文通讯作者。
激子扩散长度是有机太阳能电池的关键参数。近期研究表明，Y型NFA中会产生分子间电荷转移激子，但ICT激子形成对LD的影响尚未明确讨论。本文香港大学PhilipC.Y.Chow等人指出，由于皮秒时间尺度上ICT激子形成导致光学带隙附近光谱演化，忽略此现象可能导致瞬态吸收数据分析中显著高估Y型NFA薄膜的LD。此外，在使用激子-激子湮灭模型进行数值拟合时，采用ICT激子的本征弛豫寿命对于可靠提取扩散系数和LD至关重要。
所提出的方法无需依赖瞬态技术或传统假设完美载流子提取的IQE模型，即可快速评估器件界面性能。文章亮点：1.新型IQE线性化分析方法：通过强吸收与弱吸收极限下的IQE线性拟合，直接提取界面收集效率fc及其空间梯度，无需依赖瞬态测量或理想化假设。
