据德国《金融时报》6月3日报道，德能源专家预计，在7年内德国太阳能将具备和传统能源竞争的能力，而一些日照时间长的地区，如南欧和加利福尼亚，该时间将缩短至4年。德国太阳能工业领先世界，预计至2010年，德太阳能设备出口额将从去年的20.5亿欧元增至50.6亿欧元，而4年前的出口额仅为2.3亿欧元。德国联邦太阳能工业协会表示，目前德国太阳能发电仅占发电总量的0.5%,长期目标是将此份额提升至15%左右，关键问题是降低成本。尽管实施了一些促进措施，但太阳能发电的使用成本依然是煤电的4倍，从而制约了太阳能发电普及应用。
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丹麦独立电力生产商EuropeanEnergy已获准在澳大利亚昆士兰州Gladstone附近开发其1.1GW的UpperCalliope太阳能项目。所发电量将供应RioTinto在昆士兰州的业务，包括Gladstone地区的铝冶炼和氧化铝精炼工厂。2025年10月，该公司将拉脱维亚的一个太阳能及储能项目部分股权出售给了丹麦最大的养老基金之一Sampension。EuropeanEnergy表示，此次资产剥离将使其能够将资本重新投入到新项目储备中。此外，EuropeanEnergy在瑞典投入运营了一个90MW的太阳能-风能混合发电场，这是其首个混合项目。
2020年，位于美国俄亥俄州科Coshocton县的Conesville发电厂停止运营，这座2GW燃煤电厂曾为哥伦布市以东地区供电长达62年。Black是OhioSunshine公司总裁，这家新公司计划开设一家硅太阳能组件厂，其年产能将与五英里外的前燃煤电厂相当。"Black称，OhioSunshine在2GW工厂一期将会先雇佣83名当地员工，工厂预计于2027年第一季度投产。目前这样的工厂寥寥无几，基于我们现有的物料清单，我们能够实现不依赖中国的本土化太阳能组件生产。
前言：钙钛矿-硅串联太阳能电池的实验室效率已接近35%。我们采用基于蒸汽的共蒸发方法，在金字塔纹理硅基底上均匀沉积高质量的钙钛矿层，从而制备出效率、稳定性和可重复性都得到增强的钙钛矿–硅串联太阳能电池。利用TFPTMS调控吸附动力学带来的薄膜质量提升，钙钛矿–硅叠层太阳能电池在工业纹理化硅片上实现了超过31%的光电转换效率，并具有增强的可重复性。钙钛矿–硅叠层太阳能电池的EQE谱和反射曲线。
11月份，规模以上工业（以下简称规上工业）原煤生产保持稳定，原油生产增速加快，天然气生产平稳增长，电力生产保持增长。
此次参展，东方日升以“昇家、昇企、昇能”全场景解决方案精准呼应欧洲碳中性目标下的多元能源需求，未来，公司将持续深耕欧洲市场，深化技术本地化适配与服务体系升级，以更具创新性、可靠性的光储产品，为区域能源转型注入持久动力。
2024年全球能源转型投资创下2.4万亿美元的新高，较2022-23年年均水平增长了20%。约三分之一的总额流入可再生能源技术，使可再生能源投资达到8070亿美元。
本文提出了一种战略性界面工程方法，使用七氟丁酸钠完全功能化钙钛矿表面。钙钛矿太阳能电池在连续1,200小时的1太阳照射下保持了100%的初始效率。界面接触的结构与光电性能ESC覆盖钙钛矿表面，其结构受钙钛矿层影响，进而影响器件性能。SHF层通过降低表面能，促进了C60的均匀沉积。相比之下，控制组在800小时后，PCE降至初始值的60%。这些发现为下一代高效率、高稳定性的钙钛矿基光电器件开辟了新路径。
近日，信用评级机构ICRA发布报告指出，美国对太阳能进口征收关税已对印度太阳能组件出口商造成显著冲击，迫使制造商将出口导向的产能转向国内市场，这进一步加剧了印度本土组件行业的供应过剩困境，行业利润率承压及小型企业整合潮已成大概率事件。
该研究提出通过共组装分子杂化策略优化倒置钙钛矿太阳能电池的掩埋界面：将多羧酸功能化芳香化合物4,4’,4’’-三苯甲酸腈与常用自组装分子膦酸Me-4PACz形成NA-Me杂化层，有效改善Me-4PACz的润湿性差、团聚问题，减少界面纳米空洞与残余拉伸应力，降低非辐射复合损失；基于该策略的小面积倒置PSCs获得26.54%的认证稳态效率，11.1cm面积的迷你组件认证效率达22.74%，且在环境空气中1-sun光照下运行2400小时后仍保持初始效率的96.1%，为倒置PSCs商业化提供关键技术路径。
为应对这一挑战，西北工业大学李祯等人开发了一种利用氟化聚酰胺酸进行原位晶界封装的策略。PIF聚合物在晶界处发生原位聚合，形成贯穿钙钛矿的三维聚合物网络，有效阻隔气体释放通道。引入PIF后，钙钛矿质量得到提升，基于PIF的刚性与柔性钙钛矿太阳能电池分别实现了25.28%和24.42%的光电转换效率。通过进一步引入ITO顶电极和外部封装，器件在1140小时内仅以0.009%/h的极低速率衰减。
更重要的是，由于钙钛矿体相的本征特性，这种电子积累效应延伸至整个钙钛矿吸收层，使其平均电子浓度提升约40倍，从而大幅增强了电子电导率，降低了传输损失。Figure4展示了最终器件的卓越性能和稳定性。
