晶体生长

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天津师范大学李春举JACS:定制的缺电子大环化合物引导钙钛矿晶体生长过程用于太阳能电池来源:先进光伏 发布时间:2025-11-03 10:29:48

论文概览针对钙钛矿太阳能电池中存在的固有缺陷与卤化物离子迁移导致稳定性不足的关键问题,天津师范大学设计并合成了一种新型电子缺位双苯芳烃大环分子NBP,通过反溶剂注入法将其引入钙钛矿薄膜。结论展望本研究通过合理设计电子缺位双苯芳烃大环分子NBP,成功实现钙钛矿结晶过程调控、体相与界面缺陷钝化、以及卤素离子迁移抑制的“三位一体”协同提升,最终获得效率超过25%、兼具优异高温与操作稳定性的钙钛矿太阳能电池。

新加坡国立大学侯毅最新NC:调节混合沉积钙钛矿/有机叠层太阳能电池中的宽带隙钙钛矿正面堆叠来源:钙钛矿太阳能电池 发布时间:2025-07-07 14:50:04

,在本研究中,引入了正丙胺盐酸盐(PACl),它表现出增强的(100)面正面堆叠,可在退火过程中有效调节1.84 eV 宽带隙钙钛矿的取向晶体生长。这种方法降低了缺陷密度,从而提高了载流子扩散长度

该概念再发AM(已登顶Science)26.52%!Cs₀.₀₅FA₀.₉₅PbI₃钙钛矿体相/表面钝化都用它—脒基阳离子,高稳来源:钙钛矿太阳能电池之基石搭建 发布时间:2025-06-11 14:48:51

) 光强-开路电压依赖关系g) PEAI与NAMI钝化器件在85℃氮气环境中、100 mW/cm²光照条件下的最大功率点(MPP)持续跟踪测试结果器件制备(NAM)₂PbI₄晶体生长方法将22.3 mg

光电探测器,成像分辨率再突破,连发AM、AFM、Nature子刊!来源:知光谷 发布时间:2025-06-10 09:51:00

提出了一种新型固态晶体生长策略,通过以软三碘化铅溶剂化甲基铵粉末(MAPbI3•DMF)为前驱体,在中等压力和温度(100°C, 0.8 MPa)下直接软压在领挚科技TFT阵列传感芯片上,得到

AEM:通过氟化磺酸盐调控界面修饰和晶体生长实现效率超 21% 的高效 CsPbI3 钙钛矿太阳能电池来源:无机钙钛矿太阳能电池 发布时间:2025-06-05 09:17:58

全无机 CsPbI₃ 钙钛矿因其出色的热稳定性和理想的带隙特性而备受关注。然而,钙钛矿/电子传输层(ETL)界面处的界面缺陷以及钙钛矿不受控的结晶过程仍然是提升器件性能的关键瓶颈。鉴于此,2025年6月1日华北电力大学Jianxi Yao等于AEM发文,采用了一种多功能埋入式界面改性添加剂——五氟苯胺三氟甲磺酸盐(PFAT)。分析结果证实,PFAT 能够有效锚定在 TiO₂/钙钛矿界面

帕维亚大学Giulia Grancini最新Joule:通过快速结晶降低MAPbI3微应变来源:印刷钙钛矿光电器件 发布时间:2025-05-27 09:25:34

控制钙钛矿晶体生长,从而形成薄膜形貌,一直是钙钛矿光伏发展的基础。MAPbI3钙钛矿一直是此类半导体的主力材料,其成分相对简单,效率高,吸引了工业规模生产。尽管如此,其不稳定性阻碍了其进一步开发利用

京运通强势涨停录得4天3板 累计涨幅近40%来源:索比光伏网 发布时间:2025-05-16 10:50:59

双重驱动,叠加近期电力板块整体走强的影响。京运通主营业务涵盖高端装备制造、新能源发电及新材料三大领域,其光伏设备产品包括单晶硅生长炉、金刚线切片机等,同时公司还涉及半导体设备制造,如碳化硅晶体生长设备等

总投资100亿!硅单晶生长设备及高品质硅晶体生产项目签约来源:东吴光伏圈 发布时间:2025-02-12 13:53:58

硅晶体生产项目,总投资超过100亿元。该项目采用自主研发技术,包含光伏级、半导体级高温超导单晶硅生长设备制造和高品质光伏级、半导体级硅晶体生长、切片、抛光、退火项目,将全面强化银川市硅基材料发展链条

总投资约85亿!又一光伏项目正式落地来源:索比光伏网整理 发布时间:2025-01-13 10:51:53

一家全球领先的LED级蓝宝石晶体生长及加工设备、光伏硅材料长晶及加工设备供应商之一。昀丰科技为国家级高新技术企业、浙江省专利示范中心、国家火炬计划的承担者,同时也是国家蓝宝石行业标准的主要起草成员之一
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2024光伏下半场:签约、开工锐减6000亿!留在牌桌上的还有谁?来源:索比光伏网 发布时间:2025-01-11 14:11:37

延期时长至少达1年。具体来看,奥特维的TOPCon电池设备项目推迟至2026年8月;天通股份的“大尺寸射频压电晶圆项目”与“新型高效晶体生长及精密加工智能装备项目”,达到预定可使用状态的日期均延期至