晶体生长
论文概览针对钙钛矿太阳能电池中存在的固有缺陷与卤化物离子迁移导致稳定性不足的关键问题，天津师范大学设计并合成了一种新型电子缺位双苯芳烃大环分子NBP，通过反溶剂注入法将其引入钙钛矿薄膜。结论展望本研究通过合理设计电子缺位双苯芳烃大环分子NBP，成功实现钙钛矿结晶过程调控、体相与界面缺陷钝化、以及卤素离子迁移抑制的“三位一体”协同提升，最终获得效率超过25%、兼具优异高温与操作稳定性的钙钛矿太阳能电池。
，在本研究中，引入了正丙胺盐酸盐(PACl)，它表现出增强的(100)面正面堆叠，可在退火过程中有效调节1.84 eV 宽带隙钙钛矿的取向晶体生长。这种方法降低了缺陷密度，从而提高了载流子扩散长度
) 光强-开路电压依赖关系g) PEAI与NAMI钝化器件在85℃氮气环境中、100 mW/cm²光照条件下的最大功率点(MPP)持续跟踪测试结果器件制备(NAM)₂PbI₄晶体生长方法将22.3 mg
提出了一种新型固态晶体生长策略，通过以软三碘化铅溶剂化甲基铵粉末(MAPbI3•DMF)为前驱体，在中等压力和温度(100°C, 0.8 MPa)下直接软压在领挚科技TFT阵列传感芯片上，得到
全无机 CsPbI₃ 钙钛矿因其出色的热稳定性和理想的带隙特性而备受关注。然而，钙钛矿/电子传输层(ETL)界面处的界面缺陷以及钙钛矿不受控的结晶过程仍然是提升器件性能的关键瓶颈。鉴于此，2025年6月1日华北电力大学Jianxi Yao等于AEM发文，采用了一种多功能埋入式界面改性添加剂——五氟苯胺三氟甲磺酸盐(PFAT)。分析结果证实，PFAT 能够有效锚定在 TiO₂/钙钛矿界面
控制钙钛矿晶体生长，从而形成薄膜形貌，一直是钙钛矿光伏发展的基础。MAPbI3钙钛矿一直是此类半导体的主力材料，其成分相对简单，效率高，吸引了工业规模生产。尽管如此，其不稳定性阻碍了其进一步开发利用
双重驱动，叠加近期电力板块整体走强的影响。京运通主营业务涵盖高端装备制造、新能源发电及新材料三大领域，其光伏设备产品包括单晶硅生长炉、金刚线切片机等，同时公司还涉及半导体设备制造，如碳化硅晶体生长设备等
10月17日，为期三天的第十届国际晶体生长建模与仿真会议(IWMCG-10)在西安交通大学召开。来自中国、美国、德国、印度、日本、韩国等国家的晶体生长领域专家汇聚一堂，交流晶体生长建模及其应用的最新进展。隆基绿能受邀出席了本次会议，硅片事业部研发中心主任工程师杜婷婷以“仿真模拟技术在单晶硅技术领域的应用”为题，对隆基利用仿真模拟技术改善硅晶体生长的探索与实践，与海内外的专家学者做了精彩的交流分享。
10月14日盘后，晶盛机电公告，预计三季报净利润10.74亿元至11.78亿元，增长幅度为105%至125%。受益于光伏行业下游硅片厂商积极推进扩产进度，公司订单量、营业收入规模及经营业绩同比大幅增长。公司半导体设备业务和
国内领先的半导体设备供应商晶盛机电签了一笔大单。8月31日晚间，晶盛机电公告称，与A股公司中环股份子公司宁夏中环签署销售合同，拟向后者供应光伏加工设备全自动晶体生长炉。2020年全年，晶盛机电的营业收入为38.1
