c-Si技术

步骤： 切料, 切方和切片 硅片是晶体硅光伏电池技术中最昂贵的部分，所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。本文将对硅片切片工艺、制造业的挑战和新一代线锯技术如何降低切片
(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果，截口损失主要和切割线直径有关，是切割过程本身所产生的原料损失

转换效率达8.5~9%、优于市场均值 预定第二季量产上市 由迎辉科技(3523)转投资的薄膜太阳能电池厂八阳光电，日前成功试产出首片高效率双层非晶矽/微晶矽(a-Si/μc-Si)薄膜太阳能
电池，预定第二季正式量产出货，今年产能规划15MW，转换效率可达8.5~9%，优于市场上平均转换效率仅6~7%的单层非晶矽(a-Si)太阳能电池。 该公司表示，技术团队结合具备多年经验的真空镀膜团队与

加利福尼亚州圣何塞消息——工程基片工艺和技术的领先者Silicon Genesis今天宣布，它已生产出首家20um厚度太阳能电池箔。研究发现，这种125毫米见方的单晶硅箔既耐用，又有很高的柔性
。新形态既非薄膜，也非晶片，因而被命名为“箔”(foil)，以更好地描述这种薄、柔软、独立的材料的独特物理特性。这一成就是SiGen公司PolyMax无切损切片技术发展的重要里程碑。 125mm x

出的技术蓝图清晰指出，5年后晶体硅（c-Si）太阳能电池的效率将增长3-5%，平均值将达到16-20%。对于薄膜太阳能面板，总体效率较低，但也有望获得相应提高。比如，从单结非晶硅（a-Si）结构向串联
激光加工将怎样以及为何在太阳能技术路线中起到越来越重要的推动作用。我们还特别研究那些目前从事或即将进入设备供应链的供应商们所面临的新挑战。 　　由于多种太阳能电池技术在相互争夺市场份额，人们研究各种

太阳能厂商最急于实现的愿望。大多数已提出的技术蓝图清晰指出，5年后晶体硅(c-Si)太阳能电池的效率将增长3-5%，平均值将达到16-20%。对于薄膜太阳能面板，总体效率较低，但也有望获得相应提高。比如
，并讨论激光加工将怎样以及为何在太阳能技术路线中起到越来越重要的推动作用。我们还特别研究那些目前从事或即将进入设备供应链的供应商们所面临的新挑战。 由于多种太阳能电池技术在相互

发展硅薄膜光伏电池（a-Si/μc-Si）领域，宣称将于2010年建置1GW硅薄膜光伏电池产能；受限于关键制程设备技术的不足，Suntech就显得相对逊色，2009年硅薄膜光伏电池产能建置计划仅50MW
投入。 目前已经获悉的信息包括：全球光伏电池龙头Q-Cells全线推进现有商业化薄膜电池技术，a-Si、CdTe及CIGS均有投入；日本大厂Sharp凭借其在液晶领域的技术优势，着重

在太阳光电热潮不退，而硅材缺料压力未解与薄膜技术发展潜力备受看好的态势下，全球已有百家以上厂商投入薄膜太阳能电池的研发制造，且数量还有增加的趋势。薄膜太阳能电池的市占率已从2006年的7.6%上升
到2007年的10.4%，一般认为至2010年应可达到20%。然而薄膜太阳能电池细分下又有不同的技术，各领导厂商间的发展亦互有差异。以下就各类薄膜技术的领导厂商之发展概况作一说明。 一、硅薄膜

年a-Si/μc-Si模组的营收约为200万美金，产品主要销售于德国及日本。另外为了再提高效率，SHARP积极研发Triple-junction(a-Si/μc-Si/ a-Si)技术，效率可达10

2008年4月，在杭州下沙经济技术开发区，一栋不起眼的小楼里，龙焱能源科技(杭州)有限公司正式成立了。这家总投资2400万美元的公司做的东西很先进：碲化镉能薄膜电池及组件。虽然他们的产品还处在实验室
达到200MW，是2008年产能6倍;宇通光能尚未量产，也取得订单60MW。天威保变计划投入32亿元用于非晶硅薄膜太阳能电池项目;江西赛维宣布在南昌建设全球技术最先进、规模最大的薄膜太阳能

，产业界才刚刚开始着手将它纳入电网。包括多晶硅和单晶硅在内的晶体硅（c-Si）技术占据了90%的PV市场。薄膜太阳能电池的兴起有一系列的原因，其中之一就是多晶硅原材料的短缺已经严重的妨碍了太阳能产业的
。薄膜太阳能技术通过在玻璃基板上淀积一层薄无定形硅（a-Si）取代以往的c-Si体硅基板太阳能技术，从而大为降低多晶硅的使用量。（图1） 另一类薄膜太阳能技术则依靠碲化镉（CdTe