c-Si技术
摘要： 随着关键技术的不断突破，光电将成为一种可行的能源，同时在价格上相比传统能源也极 具竞争力。本文详细探讨了太阳能技术的发展现状。
关键词： 太阳能；PV；多晶硅；太阳能电池
随着
关键技术的不断突破，光电将成为一种可行的能源，同时在价格上相比传统能源也极具竞争力。可再生能源的重要性日益凸显，这源于人们希望减少二氧化碳排放以及对化石类能源强烈的依赖性的迫切需求。光电技术蕴含着巨大
在太阳光电系统之成本结构中，以太阳能模块成本最高，约占六成以上，而太阳能模块中约七成的成本是太阳能电池，因此如何强化太阳能电池技术发展、有效降低成本，便是降低整体太阳光电系统成本、促进太阳光电更加
薄膜太阳能电池成为近来瞩目的焦点。
薄膜太阳能电池种类众多，主要包含有硅薄膜类（非晶硅a-Si、微晶硅 c-Si、堆栈型a-Si／ c-Si等）与化合物半导体类（铜铟镓硒CIS／CIGS、碲化镉CdTe
电池领域，全球光伏电池龙头Q-Cells(QCEG.DE)三头并进，同步布局a-Si、CdTe及CIGS电池技术，日本大厂Sharp则挟于其在液晶产业的技术优势，大举进军硅薄膜光伏电池(a-Si/μc-Si)领域
07年全球光伏系统装置容量大增62%薄膜太阳能电池产量增速持续超越整体产业增速CdTe、CIGS、μc-Si(含堆栈型)电池各有发展空间07年全球光伏系统装置容量大增62%根据
上游硅料供应吃紧及日本本土市场光伏系统装置容量下降等因素影响之外，日系厂商开始布局下一世代薄膜太阳能电池领域发展也有相当大的关系。 07年薄膜太阳能电池产量(包括a-Si、μc-Si、CdTe
07年全球光伏系统装置容量大增62% 薄膜太阳能电池产量增速持续超越整体产业增速 CdTe、CIGS、μc-Si(含堆栈型)电池各有发展空间 07年全球光伏系统装置容量大增62% 根据
上游硅料供应吃紧及日本本土市场光伏系统装置容量下降等因素影响之外，日系厂商开始布局下一世代薄膜太阳能电池领域发展也有相当大的关系。 07年薄膜太阳能电池产量(包括a-Si、μc-Si、CdTe
、多晶硅Multi-Si、带状硅Ribbon/Sheet c-Si）、非晶硅电池（a-Si）、非硅光伏电池（包括硒化铜铟CIS、碲化镉CdTe）。 近年来，作为太阳能电池主流技术的晶体电池的原材料
瓶颈，而其中太阳能电池成本占整个光伏发电系统成本比例最高。 在这样的背景下，寻求低成本太阳能电池成为光伏产业发展的趋势。目前我国降低太阳能电池成本的主要发展方向是实现多晶硅的国产化，以及在技术
美商应用材料(Applied Materials)日前宣布以3.3亿美元现金，收购意大利太阳能电池制造设备业者Baccini。后者是为结晶硅(crystalline silicon，c-Si)光电
电池制造领域，提供自动金属镀膜(metallization)设备和测试系统的供货商。
应材表示，将该公司自有的半导体互连制程、制造与研发资源与Baccini的技术整合，将可提供客户生产先进结晶硅
」（或称之再生能源）系列措施。 二、2006年，全球太阳光电能源产业规模已达100亿美元，专家评估，未来10年的平均年增率为25%至30%。全球具主导性的第一代「晶硅」（c-Si）太阳能电池（简称
Solar、技术开发及承建商Terra Solar、设备大厂Applied Material、日本Ulvac、欧洲Oerlikon及日本Kaneka等。 不论第一代（晶硅）或第二代（薄膜），从技术开发、产业
第三个时期。这个时期的主要特征是把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电他的制造工艺中。以各种高效电池为代表，电池效率大幅度提高，商业化生产成本进一步降低，应用
不断扩大。 在太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中
时期的主要特征是把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电他的制造工艺中。以各种高效电池为代表，电池效率大幅度提高，商业化生产成本进一步降低，应用不断扩大。 在
太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中同质p-n结电池
