PECVD

电池工艺如丝网印刷、PECVD沉积，并在必要步骤采用微电子光刻工艺辅助完成的。在异质结制备工艺中，采用了新型的钝化方式和异质结制备工艺，形成了自己的研究特色，为后继的产业化奠定了良好的基础。 　　目前

。APCVD设备产生的氧化铝钝化层完全可以与PECVD涂层相媲美，而且还不需要昂贵的真空技术。 　　因此，在运行成本方面SCHMID的氧化铝钝化硅片每片低于0.02美元，而且传统工艺如PECVD和

一季度，公司在光伏淡季保持了良好的经营情况，毛利率高达41.92%。公司毛利远高于行业平均水平，主要有两方面原因：一是凭借超强的研发能力，自行研制了重要生产设备，如单晶炉、多线切割机、PECVD等，大幅

。SCHMID集团的APCVD设备证明了其在PERC工业化生产中的能力。今年7月，SCHMID为肖特太阳能的专利技术工艺指定了一个相应的生产线。APCVD设备产生的氧化铝钝化层完全可以与PECVD涂层
相媲美，而且还不需要昂贵的真空技术。因此，在运行成本方面SCHMID的氧化铝钝化硅片每片低于0.02美元，而且传统工艺如PECVD和ALD所需要的时间要多达3至5倍。也就是说，电池制造商可以从

Al2O3/Si界面上/附近引入固定的负电荷。在ECN，我们已经开发了简单的湿法化学工艺，随后用PECVD淀积，在硼发射极上形成SiOX/SiNX钝化堆叠。n型电池加工另一个要注意的是n型硅锭内电阻率的变化

。用电子束蒸发通过AAO模板制备Ag纳米点。然后用3M NaOH溶液将AAO模板刻蚀掉，在玻璃衬底表面留下Ag纳米微粒。接着，用等离子增强化学气相淀积(PECVD)在Ag图形玻璃衬底上生长a-Si:H
降低成本；(5)可以做成叠层结构，提高效率。非晶硅薄膜主要由气相沉积法制备，目前，普遍采用的是等离子增强化学气相沉积法(PECVD)。在PECVD法沉积非晶硅薄膜的方法中，一般原料气采用SiH4和H2，制备

专题"光伏企业技术实力的体现!如何减少电磁波对电池表面PN结辐射损伤以及损伤的有效修复是该工艺的核心技术，处理不好往往导致电池效率一致性较差。装备方面有连续式间接HF-PECVD、管式直接LF-PECVD。(作者：和海一样的新能源)

索比光伏网讯:多晶硅由于结构的各项同性而使采用碱腐蚀织构化效果不好，日本京瓷(Kyocera)公司采用PECVD/SiN+表面织构化采用反应性等离子刻蚀技术(RIE)。而扩散则采用双面扩散的方法

多晶硅由于结构的各项同性而使采用碱腐蚀织构化效果不好，日本京瓷（Kyocera）公司采用PECVD/SiN+表面织构化采用反应性等离子刻蚀技术(RIE)。 而

索比光伏网讯:多晶硅由于结构的各项同性而使采用碱腐蚀织构化效果不好，日本京瓷(Kyocera)公司采用PECVD/SiN+表面织构化采用反应性等离子刻蚀技术 (RIE)。而扩散则采用双面扩散的方法