PECVD

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“北极星”产业升级巡礼:全球光伏设备商推荐来源: 发布时间:2012-11-07 01:17:12

电池片制造关键设备之一生产型管式PECVD设备的成功研制,使我国正式具备了除全自动丝网印刷机外的太阳能电池制造设备的整线供应能力。在这方面,中电科技集团第48研究所和北京七星华创电子股份有限公司取得了
较好的成绩,并占据了一定的市场份额。国产PECVD设备的成功抢滩,打破了该领域由国外进口设备一手垄断的局面。其成功不仅使国内太阳能电池制造企业获得了低成本建线的解决方案,也极大地鼓舞了国产设备厂商与国

捷佳伟创“背面钝化技术”取得突破性进展来源:世纪新能源网 发布时间:2012-11-05 23:59:59

索比光伏网讯::近日,经过深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司研发团队的不懈努力,在捷佳伟创的管式PECVD设备上进行背面钝化技术的硅片少子寿命在传统工艺的基础上提高了5倍,这证明捷佳伟创的背面镀膜
PECVD设备在此技术上已经进入国际领先水平,这是我司装备制造水平提升的标志,也为越加寒冷的光伏行业带来了些许暖意。

前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池来源:中国科学院微电子研究所太阳能电池研究中心 发布时间:2012-11-05 17:35:02

%。在该文章中,作者经过二维数学模拟得到采用此技术的IBC 电池的最终极限转化效率可高达21.6%。前表面场采用热氧化的SiOx 和PECVD生长的SiNx钝化,背表面则采用两种钝化方案:1、SiOx
非晶硅钝化的Al掺杂的p型发射极的钝化特性。研究小组对高温烧结后,通过去除表面残余的Al浆料,然后去除Al-Si共晶层后的表面采用PECVD沉积20nm的非晶硅层钝化,得到了490120 fA/cm2的

湖南光伏产业的现状和未来来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-11-05 14:11:59

国产太阳能电池制造装备市场份额80%,是我国太阳能电池制造装备的龙头供应商。该所先后成功开发了扩散炉、PECVD、刻蚀机、高低温烧结炉、单晶炉、多晶炉、清洗机等光伏装备。48所需要进一步抢占技术制高点

国内40家光伏薄膜电池厂商大盘点(下篇)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-10-31 04:44:59

有限公司(以下简称曙海公司)于2008年4月8日在上海市南汇区工业园区注册成立。曙海公司是专业从事设计、生产、销售硅薄膜太阳电池生产线和整套工艺及其核心专有设备等离子强化型化学气相薄膜沉积PECVD系统和磁控溅射

国内40家光伏薄膜电池厂商大盘点(上篇)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-10-30 01:09:59

环保的绿色能源解决方案。公司产品非晶硅薄膜电池组件,主要的生产技术包括:使用LPCVD沉积前透明氧化物电极与背接触电极;使用PECVD技术沉积非晶硅薄膜;通过P1、P2与P3激光划刻技术把非晶硅
、MC、RF溅射技术)以及PECVD技术等方面处于国内领先,并有多项科研成果获得国家专利。近年来,为多个院校、研究院所开发制造多台用于研究薄膜太阳能电池的实验室设备。在拥有成熟的真空技术的基础上

史上最全薄膜光伏电池知识一览来源: 发布时间:2012-10-22 13:33:46

电池组件,主要的生产技术包括:使用LPCVD沉积前透明氧化物电极与背接触电极;使用PECVD技术沉积非晶硅薄膜;通过P1、P2与P3激光划刻技术把非晶硅电池分成串接的子电池。Solar Frontier

未来太阳能光伏将走进薄膜时代来源: 发布时间:2012-10-22 10:37:06

薄膜太阳能电池稳定后的转换效率可以达到9%左右,在量产之后,通过加工技术的提升,还可以进一步提高转换效率。据孙海燕博士介绍,非晶工艺和非晶微晶工艺的主要区别在于PECVD工艺,后者在镀膜的过程中需要
40MH的超高频,以获得高沉积速率、高均匀性以及低损伤。所以Oerlikon早在20年前开发薄膜太阳技术及设备时,将其开发重点集中在PECVD设备超高频电源与反应器装置的开发。超高频电源应用主要的目的

多项政策扶持光伏产业发展 多股蠢蠢欲动来源: 发布时间:2012-10-19 09:54:59

%,今年一季度,公司在光伏淡季保持了良好的经营情况,毛利率高达41.92%。公司毛利远高于行业平均水平,主要有两方面原因:一是凭借超强的研发能力,自行研制了重要生产设备,如单晶炉、多线切割机、PECVD

光伏企业动态每日速览(第五十九期)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-09-30 06:54:59

,由此宣布了其开始进入用于晶体硅太阳能电池生产的真空镀膜系统市场。据Manz公司称,VCS 1200等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统可以给垂直放置的硅片正反两面镀膜,其每小时可以完成1200片
硅片的镀膜工作。钝化过程可以通过PECVD完成。该系统也可以集成到现有的生产线中。VCS 1200可以在硅氮化物和氧化铝层创造出最优的层特性。此外,系统可以通过高性能的等离子体源(专利申请中)来缩减