PECVD
，效率绝对值较产线提高0.4%以上，量产极限产能可达5900片/小时，其中TMA化学源耗量低于1mg/片，TMA年耗量较等离子增强的化学气相沉积（PECVD）方式生产的氧化铝薄膜可节省高达人民币800
20台、扩散炉20台、刻饰机20台、管式PECVD机4台、丝网印刷机20台、分类检测机26台（具体设备以评估报告为准），产品系列为多晶硅太阳电池。（三）公司财务报表显示，截止2017年4月11日，德鑫
摘要:本文研究了通过等离子气相沉积(PECVD)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和
多层氮化硅减反射膜层通过不断降低折射率,能够更好的钝化太阳电池表面和降低表面反射率。本文研究的是利用PECVD制作三层氮化硅膜以及其对多晶太阳电池的影响。
1实验
本实验采用156156多晶硅片
要高于400C，在这个温度下，HIT电池基本完蛋；事实上HIT在200C以上就不行了，主要是它的非晶硅层受不了。这就要求钙钛矿顶层电池只能采用低温制备工艺。比如很多主流的PECVD和ALD的工艺都不能
单晶硅，正面通过离子注入形成硼掺杂p+发射结，正面采用ALD工艺沉积Al2O3钝化层钝化发射结降低表面复合速率，再用PECVD沉积SiNx形成减反膜。正面光刻工艺开槽后用蒸镀方法形成Ti/Pb/Ag
金属电极，背面利用激光掺杂技术形成局部背场，如图7所示。其工艺特点是先在背面PECVD法生长一层磷掺杂的a-SiCx钝化层，再利用激光在熔融钝化层的同时将其中的磷元素掺杂进晶体硅形成局部重掺，最后通过
双面氧化铝钝化等)、等离子体增强化学气相沉积PECVD(包括远程等离子PECVD、直接等离子PECVD等)及其他非氧化铝钝化体系，引领PERC技术多元化发展、加速光伏行业平价上网进程。
作为
，包括原子层沉积ALD(包括空间区隔式ALD、基于加工时间式 ALD即双面氧化铝钝化等)、等离子体增强化学气相沉积PECVD(包括远程等离子PECVD、直接等离子PECVD等)及其他非氧化铝钝化体系
内反射。平整的表面使得钝化膜沉积更加均匀，对于业内常用的梅耶博格公司的Maia 系列PECVD 设备，可降低沉积时间，节省三甲基铝耗量。
目前，背面抛光技术路线有两种：1) 增加酸刻蚀清洗工序的刻蚀量
时间为5 min;处理后以去离子水清洗并烘干;在硅片背面沉积氮化硅薄膜作为制绒掩膜，沉积设备为Meyer Burger 公司的板式PECVD，沉积压强为0.15 mbar，沉积温度为450 ℃，微波功率
依然存在：首先在氧化铝沉积设备上，梅耶伯格的板式PECVD可谓一家独大，然而其维护成本高，TMA消耗量大，同时薄膜质量提升空间较小;而ALD设备目前呈现百家争鸣的态势，国内设备厂商也强势加入战局，然而
PERC电池平均效率≥19.7%，处于行业一流水平。
在建设过程中，红太阳光电依托中国电科48所“国家光伏装备工程中心”、中电科电子装备集团有限公司的技术优势，成功突破五管PECVD设备产能提升
、激光消融、平板PECVD微波远程等离子体放电等关键技术瓶颈;自主研发的高效PERC电池核心工艺装备成功打破外国企业的长期垄断，使红太阳光电成为光伏行业首家基于国产关键装备的PERC电池制造商。同时
设过程中，红太阳光电依托中国电科48所国家光伏装备工程中心、中电科电子装备集团有限公司的技术优势，成功突破五管PECVD设备产能提升、激光消融、平板PECVD微波远程等离子体放电等关键技术瓶颈;自主研发的
