PECVD

上，属于比较成熟的设备；国产刻蚀设备距国际先进水平差距较大，产量较低，但性价比优势明显；管式PECVD工艺结果接近国际先进水平，正逐步进入大生产线，但相对于进口平板连续式PECVD设备，自动化程度(自动
设备，可靠性高、产能大，完全满足太阳能电池大规模生产的行业特点；8英寸立式扩散/氧化系统具有较好的性价比；管式PECVD的工艺结果也已接近世界先进水平，还获得了海外用户的青睐，该产品已出口。成绩的取得

76.6%。预计2007年国产光伏电池设备销售额将超过7亿元。 　　各类国产设备与国际差距不一 　　PECVD产能及工艺水平已接近世界先进水平，得到越来越多国内用户的使用，但设备自动化程度(自动装卸片

。因此，原来需要高温下才能进行的化学反应，通过放电等离子体的作用，在较低温度下甚至在常温下也能够发生。PECVD法沉积薄膜的过程可以概括为三个阶段： 1.SiH4分解产生
，离子、荷电集团对沉积表面的轰击作用是影响结晶质量的重要因素之一。克服这种影响是通过外加偏压抑制或增强。对于采用PECVD技术制备多晶体硅薄膜的晶化过程,目前有两种主要的观点：一种认为是活性粒子先吸

内部晶界密度大，材料缺陷密度高，而且属于高温退火方法，不适合于以玻璃为衬底制备多晶硅。 等离子体增强化学反应气相沉积（PECVD） 等离子体增强化学反应气相沉积（PECVD）法是利用辉光放电

2005年增长76.6%。预计2007年国产光伏电池设备销售额将超过7亿元。 　　各类国产设备与国际差距不一 　　PECVD产能及工艺水平已接近世界先进水平，得到越来越多国内用户的使用，但设备自动化

替代产品，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。 　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。多晶硅

。其它环节的差额部分需要进口，如电池片、硅锭∕硅片，配套材料等，如图5所示。 产业设备设计水平和制造能力落后。多晶硅铸造炉、线锯、破锭机完全需要进口；PECVD氮化硅沉积设备、丝网印刷机、电池片

林等人第一次采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七

采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七i薄膜。开始
电子器件。广泛采用的PECVD法沉积的a-Si膜含有10-15％的氢含量，一方面使硅悬键得到了较好的补偿；另一方面，这样高的氢含量远远超过硅悬键的密度。可以肯定他说，氢在a＝Si材料中占有激活能不同的多种

／μc-Si异质pp+结高效电池 SHARP公司能源转换实验室的高效电池，前面采用绒面织构化，在SiO2钝化层上沉积SiN为A只乙后面用RF-PECVD掺硼的μc一Si薄膜作为背场，用SiN薄膜作为后
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可