P型晶体硅电池

较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可
提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。用途：是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率

和推广应用工作，是德国SMA、Steca、美国Sunpower、加拿大Xantrex等世界知名品牌的专业销售服务商；公司拥有自主研发的智能型太阳能控制器、逆变器、交直流互补控制器、太阳能路灯集中遥控
、TH-M54050_50w、TH-P636_115w-145w、TH-P648_155-195w、TH-P654_180-215w、TH-P660_200-240w、TH-P672_240-280w。北京中联阳光公司司

索比光伏网讯:太阳能光伏技术是将太阳能转化为电力的技术，其核心是半导体物质的光电效应。最常用的半导体材料是硅。光伏电池由P型和N型半导体构成，一个为正极，一个为负极。阳光照射在半导体上时，两极交界处

在15%，同国际水平相差不大。 　　1968年至1969年底，半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射
国家计委在农村能源19861990年第七个五年计划中列出了《太阳电池》专题，全国有6所大学和6个研究所开始进行晶体硅电池等的研究。 　　20世纪80年代末期，国内先后引进了多条太阳能电池生产线，包括云南

，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。 　　于是，包括王占国在内的6人小组开始进行人造卫星用硅太阳电池辐照效应研究，实验过程中，由于技术不成熟
工作在各地次第展开，但进展缓慢。 　　崔容强介绍说，1986年国家计委在农村能源“1986—1990年第七个五年计划”中列出了《太阳电池》专题，全国有6所大学和6个研究所开始进行晶体硅电池等的研究

在15%，同国际水平相差不大。 　　1968年至1969年底，半导体所承担了为“实践1号卫星”研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射
“1986—1990年第七个五年计划”中列出了《太阳电池》专题，全国有6所大学和6个研究所开始进行晶体硅电池等的研究。 　　20世纪80年代末期，国内先后引进了多条太阳能电池生产线，包括云南半导体厂从

开发，研制的平面高效单晶硅电池（2cm X 2cm）转换效率达到19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池（5cm X 5cm）转换效率达8.6%。　　单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的，在大规模应用和
效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退S一W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个

已开始在澳大利亚建造一座70MW的槽型太阳能热发电装置，并计划在以色列建一座200MW的电站，同时正在洽谈在北美洲和另两洲建三座电站，每座200～300MW。Solel公司在澳大利亚的另一目标是
%，实验室最高效率为12%，多结电池为8～10%，实验室最高效率为11.83 %.。由于 生产规模的扩大，生产工艺的改进，晶体硅太阳电池组件的制造成本已降至3～3.5美元/W p，售价也相应降到4~5

。通常情况下，半导体的费米能级位于禁带。费米能级距导带底较近，则电子为多数载流子，材料为n型。费米能级距价带顶近的，空穴为多数载流子，材料为p型。费米能级位置可以通过适当掺杂加以调节。就是说，半导体电导的数量和

正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n
型导电反型层。对效率产生决定性影响的是在介电层中使用了银。该电池优点是工艺简单，但反型层的薄层电阻太高。 （6）MINP电池——可以把这种电池看作是M1S电池和p一n结的结合，其中氧化层对表面和