P型晶体硅电池

内建电场的作用下，光生电子和空穴被分离，空穴漂移到P 侧，电子漂移到N 侧，形成光生电动势，外电路接通时，产生电流。薄膜电池的优点优点：(1)成本低，根据Photon 的预测，预计到2012 年下
低成本太阳能电池的应用。(3)相同的输出电量所需太阳能电池面积增加，与晶体硅电池相比，每瓦的电池面积会增加约一倍，在安装空间和光照面积有限的情况下限制了它的应用。薄膜光伏电池前景联合国能源机构发布的

结合了异质结电池高开路电压和背接触电池高短路电流实现优势互补，从而大幅提高晶体硅电池的效率。 　　此次研制成功的第一款异质结背接触电池是基于n型4英寸晶圆(p型衬底采用了不同的技术方案)，通过传统

晶太阳能电池转换效率为19.44%，国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发，研制的平面高效单晶硅电池(2cm X 2cm)转换效率达到19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池
就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个P-i-n子电池制得的。叠层太阳能电池提高转换效率、解决单结电池不稳定性的关键问题在于：①它把不同禁带宽度的

19．44%，国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发，研制的平面高效单晶硅电池（2cm X 2cm）转换效率达到19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池（5cm X 5cm）转换效率达
非晶硅太阳能电池的转换效率。此外，其光电效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退S一W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层

：太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，光生空穴由N区流向P区，光生电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。从发现光电效应到可以大规模地制造商业用光伏电池，人类

表面的反射率。目前获得的最佳平均反射率仅为2.8%，这一数值非常接近生产线上的氮化硅覆盖的绒面结构(STDSiNx)，其平均反射率为~2.9%。与此同时，采用Al2O3作为钝化层，对p型晶体硅
片(P-CZ-Si)进行钝化处理，并经过一定温度的钝化激活，硅片的最佳有效少数载流子寿命由钝化前的6s提升到~3ms，有效表面复合速率仅为6cm/s。对n型晶体硅片(P-CZ-Si)进行钝化处理，并经过一定

p型晶体硅片(P-CZ-Si)进行钝化处理，并经过一定温度的钝化激活，硅片的最佳有效少数载流子寿命由钝化前的6s提升到~3 ms，有效表面复合速率仅为6cm/s。对n型晶体硅片(P-CZ-Si)进行

付出了巨大的努力。首先我们使用N型单晶硅代替以往的P型多晶硅制备太阳能电池，不仅提高了单晶硅太阳能电池的转换效率，而且可以大大降低电池的衰减率。宋登元解释说，除此之外，熊猫电池采用磷扩散来形成有效背场

单晶硅高效电池平均转换效率提高到19%，实验室最高转换效率达20%，英利的研发团队付出了巨大的努力。首先我们使用N型单晶硅代替以往的P型多晶硅制备太阳能电池，不仅提高了单晶硅太阳能电池的转换效率，而且