N型太阳电池
在15%，同国际水平相差不大。
1968年至1969年底，半导体所承担了为“实践1号卫星”研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射
耗电少，生产成本比同行业低24%，产量同比提高30%，副产品无污染并且可全部出售再利用。
王占国院士称，对目前占据光伏市场90%的晶体硅太阳电池来讲，转换效率的提高和硅片的薄型化是降低成本的主要
多晶硅薄膜电池。 化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等
效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退S一W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个
晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P-N结。 当光线照射太阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差
，对于N 型发射区的非平衡载流子具有很强的吸引力，使得少数载流子发生复合作用，从而减少电流。因此需要使用一些原子或分子将这些表面的悬挂键饱和。实验发现，含氢的SiNx膜对于硅表面具有很强的钝化
中科院电工研究所 王文静
一 引言
为了降低晶体硅太阳电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。
硅的
积、丝网印刷以及测试等环节井井有条。中电光伏是在太阳电池制造中采用PVD方法淀积SiN薄膜的第一家，也拥有国家知识产权局的N型硅太阳电池的中国发明专利权，由此可见其坚持技术领先的决心。晶体硅与薄膜
，产量进入世界大厂行列。目前，中硅高科生产的多晶硅部分产品已达到：P型电阻率3000?cm-4800?cm，N型电阻率300?cm-480?cm，少子寿命300s-1250s，质量稳定。中硅高科
，2007年中国太阳电池产量达到1088MW，占世界总产量的27.2%，一跃成为世界第一大生产国。根据《中国可再生能源学会》预测，我国2010年太阳能电池产量将达到2500MW，需要太阳能级高纯硅材料约
。Kubo等用N719和黑染料制备了叠层结构的染料敏化太阳电池，由于黑染料在近红外具有很好的光吸收性能，可以吸收阈值达1000 nm以内的太阳光，弥补了N719染料在长波范围吸光能力差的缺点，可以提高了电池的
PVD方法淀积SiN薄膜的第一家，也拥有国家知识产权局的N型硅太阳电池的中国发明专利权，由此可见其坚持技术领先的决心。 晶体硅与薄膜太阳电池的“暗战” 一直是光伏行业的热门话题之一,王润生博士认为
高校和专业机构展开了紧密深层次的合作研究，包括杜邦中国公司、上海交通大学太阳能研究所、荷兰 ECN 和加拿大多伦多大学等。其中与荷兰 ECN 的合作开发将集中在高效电池的研发方向上，包括 N 型电池和
苏州2009年1月12日电/美通社亚洲/ -- 1月9日，江苏省太阳能电池片工程技术研究中心正式在 CSI 阿特斯挂牌成立。
该研究中心的主要目标是建立国内领先，国际先进的太阳电池
，它生成一层减反射膜沉积在电池片表面。三氯氧磷用于在电池片的扩散过程中与氧气反应生成磷原子，磷原子又作为光伏电池的n型掺杂物，渗透到硅片表层形成PN结。同时它还广泛应用于制药、染化、塑胶助剂、表面活性剂
投资热点，但国际化团队问题、高额投资问题和多晶硅料供应问题，都是投资人所不得不慎重考虑的。 四、电池组件 为了满足太阳电池的实际使用要求，须将若干单体电池按电性能分类进行串并联，经过
