N型太阳电池
取得更高转换效率的现有技术进行部分调整。叠印、选择性发射极、发射极穿孔卷绕之类的技术属于这一列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。第二种方案涉及到有关单晶硅N型
列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。 第二种方案涉及到有关单晶硅N型太阳能电池的技术。比如，美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池
电池之所以能取得这样高的光电转换效率是由于在太阳电池的p-n结中插入一个本征缓冲层(bufferlayer)，该本征缓冲层对Si片表面的钝化作用使其界面特性得以改善。少子寿命是钝化效果的直接反映，理论
层。所用硅片为5英寸n型CZ片，晶向为(100)，电阻率0.5～3cm，厚度约200~220m。制绒之前先采用RCA法清洗硅片，用以确保制绒的均匀性。最后用1%的HF溶液去除硅片表面的氧化层。实验
1968年至1969年底，半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法
长时间在空间运行。
1969年，半导体所停止了硅太阳电池研发，随后，天津18所为东方红二号、三号、四号系列地球同步轨道卫星研制生产太阳电池阵。
1975年宁波、开封先后成立太阳电池
G.L.Pearson获得太阳能转换器件专利权。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要；Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9
1969年底，半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。1969年
合掉了,从而会使电池效率大大下降。尽管n型硅材料的少子迁移率较小,但其寿命较长,且对杂质沾污的敏感性较低,所以比较适合于制作背结电池。2.1.1IBC太阳电池IBC
后进入n型衬底形成n+区,而未印刷掩膜层的区域,经磷扩散后形成p+区。通过丝网印刷技术来确定背面扩散区域成为目前研究的热点。图1早期IBC太阳电池2.1.2PCC太阳电池美国SunPower公司利用
非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜3.背面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜4.在两面用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜5.丝网印刷制备电极光伏技术：HIT电池的优点1.HIT电池具有较高的开路电压
（FIFA）和巴西世界杯组委会支持下，英利请来为2014年巴西世界杯特别打造的冠军奖杯代表足球界最高荣誉的大力神杯，和该公司自行研发、代表中国光伏发电新能源产业核心技术的熊猫N型硅太阳电池组件系列产品一起
。在太阳电池的常见工艺中，常常是在含硼的磷型硅片上扩磷，所以要去除的主要是周边扩散了磷的部分。为了将扩散所得的硅片制成P-N结，我们得把四周的N型层去掉。背面的N型层可以用补偿法消除，用丝网印刷铝浆
逆变器又称电源调整器，根据逆变器在光伏发电系统中的用途可分为独立型电源用和并网用二种。根据波形调制方式又可分为方波逆变器、阶梯波逆变器、正弦波逆变器和组合式三相逆变器。对于用于并网系统的逆变器，根据
有无变压器又可分为变压器型逆变器和无变压器型逆变器。光伏逆变器的结构与工作原理逆变器是一种由半导体器件组成的电力调整装置，主要用于把直流电力转换成交流电力。一般由升压回路和逆变桥式回路构成。升压回路把
