N型太阳电池

扩还可以降低接触电极的接触电阻。这样通过重扩的孔洞将前表面发射极引入背面，实现把前表面收集的电子传导到背电极上，电池的P型电极和N型电极的细栅全部交叉排列在电池背面，简化了封装工艺。前表面依然采用优良

。更重要的是，跟晶硅完全不一样，铜铟镓硒是一种独特的技术。它是将严格配比后的铜、铟、镓、硒四种元素合成半导体，依靠原子配比的缺陷来生成P型或N型半导体材料。它对生产工艺的要求非常高。以铜铟镓硒电池为

发射极引入背面，实现把前表面收集的电子传导到背电极上，电池的P型电极和N型电极的细栅全部交叉排列在电池背面，简化了封装工艺。前表面依然采用优良的金字塔结构和减反射膜，以减少光的反射损失，从而达到了提高

的原因1）去边不彻底、边缘短路2）去边过头，P型层向N型层中心延伸，边缘栅线引起局部短路3）烧结不良，正电极或背电极与硅片接触不良，串联电阻增大4）烧结过度，即将使PN结烧透，短路以上几种有可能在分选

符合可持续发展战略的理想的绿色能源。太阳能光伏并网发电是太阳能最主要和最重要的应用，其主要组成部分光伏电站太阳电池阵列均位于户外。因此，为了确保系统可靠和安全地工作，必须解决太阳能光伏并网发电系统的防雷
避雷问题。然而，目前人们尚不能对雷电加以有效利用，而只能对它采取相应的预防性措施，变被动引雷为主动引雷，以减少雷电带来的各种灾害。我国大部分的楼层建筑，防雷措施一般采用避雷带、避雷针和安装阀型避雷器等

索比光伏网讯:中国科学院半导体研究所韩培德研究员领导的光伏能源组日前宣布，该团队瞄准光伏企业需求，经过多年苦战，在国产直拉N型单晶硅(Cz)衬底上采用离子注入等技术，研发出了效率达到20%的
太阳电池具有两大特点，首先其衬底中少子寿命长;其次工艺中避免了高温对晶硅的损害。他认为团队目前的技术路线是下一代高效晶硅太阳电池的发展方向之一。他表示尽管政府介入光伏产业过多，企业盲目扩张，产品供大于求

相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4，为反应气体，在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底
光致衰退S一W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的这径就是制备叠层太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个P-i-n子电池制得的。叠层太阳能电池提高

聚焦光伏材料（例如：n型硅、p型硅、类单晶硅和高效多晶硅）和类似双玻组件和双面发电组件的新产品技术。在SEMI的国际光伏技术路线图项目委员会中，中国有两名联合主席加入，分别是来自晶澳太阳能的首席技术官

电池及N型电池等。这些电池结构采用不同的技术途径解决了电池的栅线细化、选择性扩散、表面钝化等问题，可以将电池产业化效率提升2～3个百分点。2001年，澳大利亚新南威尔士大学（UNSW）研发的PERL
伏特作为电压的单位使用。光生伏特效应就是光电效应，是德国物理学家赫兹于1887年发现的。光电效应就是太阳能电池工作的基本机理：太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下