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LID
N 型单晶硅为磷掺杂,不存在 P 型晶硅中的氧复合、础铁复合等,所以 HJT 电池对于 LID 效应是免疫的。HJT 电池的表面沉积有 TCO 薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免
:使用13年的组件功率只衰减了2-3%,所以 HJT 电池在发电端优势明显,这也主要得益于其无 LID 与 PID 效应。
HJT 电池因为其特殊的晶硅/非晶硅界面态纯化结构,对设备、工艺
， Q.ANTUM 所有产品以 Q CELLS 发电保障为依托，具有出色的抗PID(电势诱导衰减)，抗LID(光诱导衰减)，抗LeTID(光照和高温诱导衰减)性能和热斑保护，以确保持久的发电性能。此外
，组件功率衰减仍低于1%。
发电表现测评
在该项目中，天合光能获得了PAN file测试、光致衰减(LID)和光热诱导衰减测试(LeTID)的高分。其中，panfile测试显示
天合组件产品的综合系统效率(Performance ratio，简称PR)高于85%。经光致衰减(LID)测评，天合组件产品在检测的所有品牌产品中，得分位居前十位。而光热诱导衰减测试显示，通过486
file测试、光致衰减(LID)、光热诱导衰减测试(LeTID)、Thresher Test等多项可靠性加严测试，每项测试对于组件在实际应用场景下的可靠性都有重大参考意义，晶澳能够连续获得
,无LID，低温度系数，高发电增益。
东方日升
NewT@N 700W超高功率组件
东方日升大尺寸超高功率组件，功率突破700W，采用多主栅二切片技术，大电流接线盒设计提供组件可靠性，N型
电池片优良的抗PID和抗LID性能，高功率低电压组件，大幅降低BOS成本。在此基础上，组件采用了新一代电池技术TOPCon与HJT优势借鉴、融合互补的形式，整体效率达到22.5%，组件成本可控制在量产标准
距技术，组件效率高达22.55%，采用直接半片生产工艺，零切割损失，可靠性大幅提升。
通威(W5-310)
通威叠瓦双玻HJT组件功率可达705W，组件无PID、无LID，采用低温
(-0.32%/K)，无LID和LeTID等优势。Niwa Max组件提供30年优异质保，其首年衰减仅1%，功率年衰减率0.4%。
通威(W5-310)
通威叠瓦双玻Topcon
。NewT@N因此具备超低温度系数、弱光性能优异、双面效率大于80%等N型电池的优势性能，且N型硅片没有B-O效应引起的LID(光衰)现象，双技术融合为产品带来更稳定的性能与更高发电量。 上能电气
机械载荷能力; ◆ 采用掺镓硅片，降低热斑温度、低LeTID 及LID; ◆ 通过优化边框结构及材质设计，提高稳固性; ◆ 超长质保，品质可靠。 04 低电压 ◆ 低电压带来单串可串组件
产品相比更是具有温度系统低、弱光效应好、LID、PID衰减小、背面功率高，发电量高等优势，全方位满足客户需求。 跟踪支架系统包含1P-独立单排跟踪系统和2P-独立单排多点跟踪系统，产品
)、光致衰减(LID)+光热诱导衰减测试(LeTID)等多项可靠性加严测试，相比于基础测试，PQP测试无论是从测试条件上，还是测试序列上，都更加严苛，每项测试对于组件在实际应用场景下的可靠性都有重大参考意义
