LID
，天合光能通过叠加N型技术推出的组件，在发电量上，将更有效抵御光衰(LID)和热辅助光诱导衰减(LeTID)现象，组件光谱响应范围更广，辐照利用率更高。而先进的陷光技术则可以确保，当入射光和组件平面存在
和营销副总裁Tristan Erion-Lorico，讨论了今年计分卡的新趋势和主题、物料清单(BOM)对组件性能的影响、制造商在供应链受限期间必须考虑的因素以及镓掺杂的主导地位对光致衰减(LID
几乎所有的产品都使用镓，这无疑带来了创纪录的低LID值。让我有点疑惑的是，为什么LID很低的制造商仍然在他们的数据表和保证书上都写着相对较高的首年衰减率。
从历史上看，首年2.5%或3%的衰减率是
。 爱康致力于HJT电池的研究和开发，不断加大投资和研发力度。HJT电池转换效率高，具有多种优势，采用低温制程、能耗低，其双面对称结构更易实现硅片薄片化，同时电池性能稳定，低衰减，无PID和LID
数据的重要参考。 基于PVEL严格的产品资格计划(PQP)， 2022年发布的6项测试包括：热循环、潮湿热、机械应力序列、P电离诱导降解(PID)、LID+LeTID和PAN性能。相比基础测试
(MSS)、电位诱导衰减测试(PID 192)、光致衰减(LID)+光热诱导衰减测试(LeTID)等六项可靠性加严测试，总结出长达18个月的测试结果;相比于基础测试，PQP测试无论是从测试条件上
型硅片，没有由于 B-O 键所带来的 LID 现象;在性能上，其载荷完全媲美 PERC 同版型载荷性能;通过实测数据对比，异质结组件相较于 PERC 双面组件发电量增益约 5%~10%，在高温环境下
低衰减等优势。电池转换效率超24.5%，组件功率达到700W。近乎零LID表现;组件可承受 5400 帕雪压和 2400 帕风压，具有超高超载荷抗压能力;组件功率温度系数低至-0.31%/℃，首年
工艺和采用更严格的材料筛选规则，HiKu7&BiHiKu7组件的LID(光致衰减)和LeTID(光热致衰减)可以控制到0.5%以内。结果表明，阿特斯HiKu7&BiHiKu7组件在实际应用中的性能表现
。 汉伏HITOUCH 5N产品采用TOPCON电池片，电池效率超过24.5%，叠加多主栅与半片技术，组件功率高达580W。TOPCON技术有效降低了电池表面复合和金属接触复合， LID
%+ 高可靠性：低初始光致衰减，更优产品质保，首年衰减1%，逐年衰减率0.4% 高单瓦发电量：高双面率(80%)，低LETID & LID，低温度系数(-0.30%)，提高发电量2%-4% 高颜值
