HIT电池
PlantSystems。HIT（HeterojunctionwithintrinsicThinlayer，异质结）是一种高效电池技术，在单晶硅层之间铺上一层非晶硅薄膜，借此改变PN结之间的构造，使光电转换
效率大幅提升，且发电量较不受夏季高温影响，全年发电量也会比一般的晶硅电池高。此外，同样1kW的组件，HIT的铺设面积也较主流晶硅电池来得小。松下的HIT电池理论转换效率已高达25.6%，本次所使用的产业
Plant Systems。
HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer，异质结）是一种高效电池技术，在单晶硅层之间铺上一层非晶硅薄膜，借此改变PN结之间的
构造，使光电转换效率大幅提升，且发电量较不受夏季高温影响，全年发电量也会比一般的晶硅电池高。此外，同样1kW的组件，HIT的铺设面积也较主流晶硅电池来得小。
松下的HIT电池理论转换效率已高达
三井物产Plant Systems。HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer，异质结）是一种高效电池技术，在单晶硅层之间铺上一层非晶硅薄膜，借此改变PN结
之间的构造，使光电转换效率大幅提升，且发电量较不受夏季高温影响，全年发电量也会比一般的晶硅电池高。此外，同样1kW的组件，HIT的铺设面积也较主流晶硅电池来得小。松下的HIT电池理论转换效率已高达
高效电池研发与生产上，多次印刷、PERC技术、HIT技术、IBC技术、MWT技术、黑硅技术等已在使用或着手研发，部分企业生产的N型电池转换效率已达到22.9%，处于全球先进水平。主流组件产品功率达到255
；马斯克筹划未来5年将单晶组件产能由1GW提升到20GW；随着日本光伏发电投资从大面积系统转向屋顶系统，松下2015财年将日本本土HIT电池产量计划由600MW提升至750MW；日本顶级多晶电池制造商京瓷也
17.8%，单晶硅电池平均转换效率达到19.3%，处于全球领先水平。在高效电池研发与生产上，多次印刷、PERC技术、HIT技术、IBC技术、MWT技术、黑硅技术等已在使用或着手研发，部分企业生产的N型电池
。下面，我们用选择性接触的理论解释一下松下异质结(HIT)电池的原理。HIT电池吸收层采用n型单晶硅片，正面首先沉积很薄的本征非晶硅层，作为表面钝化层，然后沉积硼掺杂的p+型非晶硅层，二者共同构成正面空穴
研究报告》。 我国产业化生产的普通结构多晶硅电池平均转换效率达到17.8%，单晶硅电池平均转换效率达到19.3%，处于全球领先水平。多次印刷、PERC技术、HIT技术、IBC技术、黑硅技术等高效电池
均为我国企业。 我国产业化生产的普通结构多晶硅电池平均转换效率达到17.8%，单晶硅电池平均转换效率达到19.3%，处于全球领先水平。多次印刷、PERC技术、HIT技术、IBC技术、黑硅技术等高效电池
。中国科学院上海微系统与信息技术研究所刘正新博士在会上透露，其研发的HIT单晶电池2014年12月即已达到22.49%的转换效率。由于HIT单晶系统发电时长高于多晶系统11.07%，度电成本将会在不久后显现经济优势。
