HIT电池工艺
的应用。
针对这一产业形势，中来光电此次也重点推出了 IBC 单晶组件和中来双面叠片单晶组件。其中， IBC 单晶组件使用中来高效正面无栅线 IBC 电池片，同时结合中来特殊的组件封装工艺，可将组件
正面功率提升至 330W 以上。 中来双面叠片单晶组件则运用创新型双面组件结构设计，融合激光划片技术及双面电池叠片工艺，不仅大幅增加组件受光面积，也有效降低了内部的电力损耗，从而使组件综合发电量高达
单位产能硅耗少、切割效率高、辅材成本低和可切割薄硅片等优势。目前单晶硅太阳能电池由于硅片端金刚线切片技术的普及，成本快速下降，在此背景下多晶硅行业尽快引入金刚线切割工艺显得尤为紧迫。而金刚线切割
能解决外观问题之外，还能形成纳米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。2016年11月，保利协鑫
光伏产业发展概况光伏产业是指通过各种技术和工艺环节生产出太阳能电池，并将太阳能电池经过串并联后封装保护形成大面积的电池组件，再配合功率控制器等，形成发电装置的产业链，是半导体技术与清洁能源需求相结合产生的
单晶组件和中来双面叠片单晶组件。其中，IBC单晶组件使用中来高效正面无栅线IBC电池片，同时结合中来特殊的组件封装工艺，可将组件正面功率提升至330W以上。中来双面叠片单晶组件则运用创新型双面组件结构设计
，融合激光划片技术及双面电池叠片工艺，不仅大幅增加组件受光面积，也有效降低了内部的电力损耗，从而使组件综合发电量高达400W。在本届展会上，刘勇还分享了很多有关日本市场N型双面组件技术的独到见解。他认为
电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。 目前，国内的HIT太阳电池组件刚起步，还需要进一步加快发展步伐。日本松下最新发布的家用HIT高效组件，转换效率已达19.6%。 HJT
;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻
穿孔卷绕）电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻低，转换效率
带来了制绒工艺上的困难。第二，黑硅技术的设备成本降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展;4)双玻组件、双玻是一个平台型的技术理念，所有电池(PERC、黑硅、IBC、HIT)、组件(单晶、多晶
晶体硅电池，HIT电池的工艺步骤更少;2、低温工艺，其最高工艺温度不超过200℃;3、高开路电压，其Voc达到了750mV;4、温度特性好;5、光照稳定性好，HIT电池中没有发现
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池
