HIT电池工艺
达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池组件的单位面积发电量更高、高温时能发更多的电、制成双面组件能够利用反射光,发电量进一步提升。HIT电池特点
729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池组件的单位面积发电量更高、高温时能发更多的电、制成双面组件能够利用反射光,发电量进一步提升。HIT电池特点有：1
(Phono Solar)此次推出的MWT组件比传统组件单片额定功率提升10-20瓦，功率提升效果明显。此外，MWT技术与黑硅、PERC以及HIT等其他电池片工艺具有良好的兼容性。不仅如此，由于其工艺的特殊
%，目前，三洋公司结合IBC结构，制备出了实验室转换效率为25.7%的HIT电池。HIT电池特点有：1、结构对称，相比传统晶体硅电池，HIT电池的工艺步骤更少；2、低温工艺，其最高工艺温度不超过200
HIT电池和IBC电池的25MW示范生产线。 研究内容：开展低成本晶体硅电池国产化技术攻关，包括关键材料、工艺、装备以及配套辅材的国产化;进行HIT太阳能电池产业示范线关键技术研究和示范，进行IBC
HIT 电池和 IBC 电池的 25MW 示范生产线。 《能源技术创新“十三五”规划》 45 研究内容：开展低成本晶体硅电池国产化技术攻关，包括关键材 料、工艺、装备以及配套辅材的国产化;进行
%， 建成 HIT 电池和 IBC 电池的 25MW 示范生产线。 《能源技术创新十三五规划》 45 研究内容：开展低成本晶体硅电池国产化技术攻关，包括关键材 料、工艺、装备以及配套辅材的国产化;进行
电池的 25MW 示范生产线。 研究内容：开展低成本晶体硅电池国产化技术攻关，包括关键材料、工艺、装备以及配套辅材的国产化;进行 HIT 太阳能电池产业示范线关键技术研究和示范，进行 IBC
背面接触)电池组件、MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、黑硅电池组件、异质结(HIT或HJT)电池组件、IBC(背接触)电池组件、双面电池组件、切片电池组件、叠瓦电池组件、双玻组件、智能组件等
表面硼发射极高效率N型硅太阳能电池和组件(被命名为PANDA熊猫技术)。相对于HIT、IBC和PERL等结构，PANDA熊猫技术的优势在于和普通的P型硅太阳电池具有相同的电池结构，制作工艺可以兼容
