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/InGaAsNSb/Ge，能够用来发电的波长范围十分广泛，覆盖了300nm～1700nm的范围。下面来介绍一下具体制作流程。首先，在GaAs基板上制作InGaP/GaAs/InGaAsNSb三结元件。然后通过蚀刻
方式，熔解GaAs基板与光伏电池之间的AlInP层，使GaAs基板容易剥离。另一方面，在形成了pn结的Ge基板上沉积GaAs层并使其图案化。然后利用旋涂法，在其表面涂抹起到浆糊作用的As2Se3溶液

，通过两个透镜的共同作用来实现1000倍的聚光。这次的光伏电池各层的构成为InGaP/GaAs/InGaAsNSb/Ge，能够用来发电的波长范围十分广泛，覆盖了300nm～1700nm的范围。下面来介绍
了pn结的Ge基板上沉积GaAs层并使其图案化。然后利用旋涂法，在其表面涂抹起到浆糊作用的As2Se3溶液。厚度只有10nm。最后，把表面实施了凹凸加工的硅树脂PDMS（二甲基聚硅氧烷）按压在GaAs基板

光伏电池各层的构成为InGaP/GaAs/InGaAsNSb/Ge，能够用来发电的波长范围十分广泛，覆盖了300nm～1700nm的范围。下面来介绍一下具体制作流程。首先，在GaAs基板上制作InGaP
2mm的球形透镜，通过两个透镜的共同作用来实现1000倍的聚光。 另一方面，在形成了pn结的Ge基板上沉积GaAs层并使其图案化。然后利用旋涂法，在其表面涂抹起到浆糊作用的As2Se3溶液

光伏电池各层的构成为InGaP/GaAs/InGaAsNSb/Ge，能够用来发电的波长范围十分广泛，覆盖了300nm～1700nm的范围。下面来介绍一下具体制作流程。首先，在GaAs基板上制作InGaP
/GaAs/InGaAsNSb三结元件。然后通过蚀刻方式，熔解GaAs基板与光伏电池之间的AlInP层，使GaAs基板容易剥离。另一方面，在形成了pn结的Ge基板上沉积GaAs层并使其图案化。然后利用旋

索比光伏网讯:美国通用电气公司（GE）4月24日宣布，该集团旗下的美国GE能源金融服务公司向可再生能源领域的累计投资已经突破了100亿美元。100多亿美元中，80亿美元投向了总输出功率为12吉瓦以上
可再生能源电力达到一定比例。GE能源金融服务投资公司的可再生能源业务的年发电能力之和已经达到了17吉瓦时，相当于洛杉矶全年的用电量，可供370万户普通家庭使用。并在美国国内创造出了约1万个就业岗位。在GE的

索比光伏网讯:工业巨头通用电气(GE)旗下金融部门日前首次投资于印度的太阳能行业，在该国最大的光伏项目中占有股份。GEFinancialServices将为该151MWNeemuch项目投入

工业巨头通用电气(GE)旗下金融部门日前首次投资于印度的太阳能行业，在该国最大的光伏项目中占有股份。 GE Financial Services将为该151MW Neemuch项目投入
该国通过高效太阳能项目，其将有助于以可持续的方式满足该国的能源需求。 GE Energy印度和东南亚业务负责人Raghuveer Kurada还表示，由于印度地理、强劲的经济发展以及政府最高层的

Performance Materials Inc）向美国证券交易委员会递交了破产保护申请文件。 事实上， 继阿波罗全球管理公司在 2006 年以 38 亿美元实现杠杆收购之后，迈图作为前通用电气公司（GE）的有机硅

总经理南森邓恩(Nathan Dunn)监管该地区的活动。 邓恩曾在照明公司GE Lighting澳大利亚能源效率部门工作，在此之前，他在GE Lighting移动通讯部门工作。谈论他的新职位，邓

原因 几年前，GE作为老牌的有机硅企业，毅然决然将有机硅业务打包出售给阿波罗集团，从这一刻起组建的迈图高新材料就一直生活在水深火热的财务窘境中，现在大家已经知道迈图背负着沉重的债务，这个债务的