Devices双结
平面共轭策略(coplanar-conjugation of donor-acceptor
strategy)设计了双自由基SAMs，以促进空穴在SAMs上的传输。得益于分子位阻设计
(molecular steric hindrance
design)，该双自由基SAMs表现出优异的光热稳定性与电化学稳定性，同时具备更高的组装均匀性以及大面积溶液可加工性。采用先进的扫描电化学池显微镜-薄层
Devices制备的砷化镓双结薄膜电池最高转换率达到31.6%，单结电池最高转换率达到29.1%，单结量产组件转换率达到25.1%，保持全球领先水平。此外，汉能Alta Devices两位联合创始人
Devices制备的砷化镓双结薄膜电池最高转换率达到31.6%，单结电池最高转换率达到29.1%，单结量产组件转换率达到25.1%，保持全球领先水平。此外，汉能Alta Devices两位联合
转换率达到21%;同时汉能的砷化镓(GaAs)组件以单结电池29.1%的转换效率，双结电池效率31.6%，保持和打破六项世界纪录。 引领高端装备制造，助力万物发电 经过多年发展，中国制造已经享誉世界
都刚刚开始。 在光伏应用方面，汉能一直走在前列。Alta Devices是汉能子公司，也是专业的砷化镓光伏制造商，其生产的单结砷化镓效率为29.1%，双结则达到了31.6%，远超晶硅，在卫星、航天
20000件。汉能的铜铟镓硒(CIGS)组件经德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究院(Fraunhofer ISE)认证的最高转换率达到21%;同时汉能的砷化镓(GaAs)组件以单结电池29.1%的转换效率，双结
砷化镓太阳能电池供电。相关资料显示，阿尔塔设备公司Alta Devices是汉能于2014年全资并购。该公司一直致力于研发全球领先的砷化镓薄膜太阳能技术，目前其砷化镓技术保持双结电池(31.6%)、单
尔塔柔性砷化镓太阳能电池
相关资料显示，阿尔塔设备公司Alta Devices是汉能于2014年全资并购。
该公司一直致力于研发全球领先的砷化镓薄膜太阳能技术，目前其砷化镓技术保持双结电池
，还负责将60颗ThinSat小型卫星送入太空。
而这60颗卫星采用的就是我国薄膜太阳能企业汉能集团旗下美国子公司阿尔塔设备公司Alta Devices制备的砷化镓太阳能电池供电。
汉能阿
的、50岁的增长技术。D-HVPE工艺的关键是使用双室反应器以沉积不同的层面，通过这些反应器，他们能够将生产时间从一个小时缩短到大约两分钟。
这一团队目前已经能够生产出25.3%效率的砷化镓电池
。Ptak表示他们有一个非常好的研发技术，设计了一个测试规模的反应堆，但他们没有办法从A走到B，因为这将是需要大量资本的一步。
NREL还与美国Microlink Devices公司合作，以实现
薄膜单结电池效率经历了较快突破。美国Alta Devices 公司制备的柔性薄膜单结电池效率已提高到29.1%;三结GaAs 薄膜电池方面，最高效率仍为日本Sharp 公司研发的倒装型IMM
