Al技术
——Si、 SiO2、Si3N4、SiON、W、WSix、TiN、Al等——以及有机污染物有很高的反应性，加上反应产物具有挥发性，这确保了腔室表面的微粒和 分子污染物能够清洗干净。可持续性是我们衡量工艺进步
技术发展路线图号召自愿减少高全球变暖潜能值气体的使用和排放。 在这些气体中用量最大的是三氟化氮，其用量在过去15年内伴随着半导体产业的发展温和增长，但是随着液晶显示器面板的大量生产，三氟化氮的用量陡升
授益田秀树联合神奈川科学技术研究所，共同开发出了利用阳极氧化在Al表面制作nm级螺距的点形状的技术。Al氧化后形成A2O3，通过电压和溶液的组成优化，部分Al发生溶解，形成等间隔的nm级孔注5
激光加工将怎样以及为何在太阳能技术路线中起到越来越重要的推动作用。我们还特别研究那些目前从事或即将进入设备供应链的供应商们所面临的新挑战。
由于多种太阳能电池技术在相互争夺市场份额，人们研究各种
终端使用物专用的设备由这些类别的子集来驱动，受到特定的电池技术及其成本缩减技术蓝图的综合作用。
高效概念
提高太阳能电池和面板的效率几乎是全球每位太阳能厂商最急于实现的愿望。大多数已提
汽车用油量。 Google表示整项计划将费时22年完成，但估计完成后可节省1万亿美元的能源支出。Google非营利机构Google.org气候能源技术经理Jeffery Greenblatt在
报告书中表示，美国目前面临新政府上任与国会交接，更有各项能源措施正在规划中，此刻无疑是将计划付诸行动的最佳时机。 Google表示，美国前副总统高尔(Al Gore)当年提出在10年内停止使用碳
——Semyos高端。随着薄膜技术的发展，半导体和硬盘制造商们越来越依赖于XRF分析。帕纳科的Semyos能量色散薄片分析器能扮演至关重要的角色。该系统组合了公司很多薄膜XRF分析关键技术和同类产品中的最高
Al（包括Al）的元素制成的薄膜， 复合堆叠层的接受/拒绝评估， 金属镀层工艺的控制，阻挡层的分析, 以及读写头和磁性介质薄膜的测定。
一个多功能前端模块使Semyos能够放下
日本的产业技术综合研究所宣布，已确认该公司采用柔性底板的CIGS型太阳能电池实现了17.7％的单元转换效率。这一效率值在柔性CIGS型太阳能电池中估计达到了全球最高水平。
产总研
（NaF）。不过，Na2Se和NaF不稳定，再现性较差。
此次，产总研开发出了“Alkali-silicate Glass Thin Layer（ASTL）法”，该技术首先在底板上形成硅酸盐玻璃
结构的情况下，这些SunFab生产线每年生产的电池组件所对应的发电量最高可达210兆瓦，这足以为大约7万个家庭提供用电。 Masdar项目首席执行官Sultan Al Jaber博士表示
：“Masdar 项目致力于使可再生能源在目前和未来的能源方案中扮演一个重要角色。为此，我们选择最有希望的技术，投入资金和努力并注重规模效益，从而加快可再生能源的应用。” 应用材料公司的SunFab生产线是
取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个
开发出从正极到负极采用ITO/P3HT:PCBM F/Al结构的太阳能电池。PCBM为n型富勒烯（C612）衍生物，P3HT为p型有机半导体。 美国西北大学此次采用PLD（脉冲激光沉积法）法
电压也提高了4成。 后将在进一步改善空穴输送层的同时，致力于开发采用卷对卷印刷方法的柔性底板太阳能电池的量产技术。
太阳能发电。美国西北大学此前曾开发出从正极到负极采用ITO/P3HT:PCBM F/Al结构的太阳能电池。PCBM为n型富勒烯（C612）衍生物，P3HT为p型有机半导体。 美国西北大学此次采用
～5.6％。另外，开放电压也提高了4成。 后将在进一步改善空穴输送层的同时，致力于开发采用卷对卷印刷方法的柔性底板太阳能电池的量产技术。
