系统薄膜的加工方法和材料技术总汇

来源:Solarbe.com发布时间:2009-03-13 00:50:44
屏幕印刷采用17μm布线

(1)屏幕印刷是用于半导体层、绝缘膜、金属层、有色层及粘着层等的印刷技术。屏幕印刷的优点是设备价格低廉,仅为1000万日元左右。而且,对印刷用墨水材料的制约因素较少,材料使用效率高达约80%。主要适合于大面积成膜注1)。

注1)加工尺寸较大,为数十μm,缺点是很难制成厚度小于30μm的薄膜。

近年来,屏幕印刷量产水平的加工尺寸已从100μm微细化到了30μm。线宽为30μm的加工主要面向PDP用防电磁波膜的量产化。日本大型屏幕印刷企业纽朗(NEWLONG)精密工业开发出了微细化至17μm的技术。通过在薄膜底板的表面进行加工实现了微细化。采用屏幕印刷绘制线宽/线间隔(L/S)小于30μm的图形时,存在薄膜底板上的墨水产生大面积浸湿的问题。因此,该公司开发出了将17μm布线印刷于可在表面形成多孔质层的聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)薄膜上的技术。该多孔质层可吸收印刷在薄膜底板上的墨水,防止涂布处的周围产生大面积浸湿。

通道长1μm的有机晶体管

(2)喷墨涂布主要用于有色层、布线层、绝缘层及半导体层等的形成。喷墨的优点是无需底板,可直接涂布于平面的必要部分。

近年来,喷墨涂布的绘制尺寸已从数十μm微细化到了20μm左右。不过利用普通喷墨头进行量产时的绘制直径约为13μm。小于13μm的微细化技术尚处于研究阶段,不过已开发出了通道长为1μm的有机晶体管。

通道长为1μm的有机晶体管是由东京大学工学系研究科量子相电子研究中心副教授染谷隆夫与德国马普固体研究所(Max Planck Institute for Solid State Research)共同开发而成。在有机半导体层上形成了Ag材料的源极和漏极,电极宽度为2μm,厚度为25nm。

利用普通喷墨头进行量产时的图形直径仅为13μm左右,喷出的液滴最小为1pl。染谷的研究小组实现液滴微量化的理由是使用了喷出液滴仅为原喷墨1/1000以下的fL(飞升)级超微细液滴喷射技术注2)。实现1fL液滴喷射后,液滴直径为1.3μm,数值减小了1位数。该喷射技术是产业技术综合研究所(产综研)纳米科技部门开发的“高级喷墨”技术注3)。

注2)在喷墨技术中,“目前还没有控制液滴量超过高级喷墨的方法”(开发使用喷墨技术的电子元件的技术人员)。因此,要形成直径小于1μm的微细图形时,需要考虑采用其它方法。微细化的限制因素取决于喷墨技术原理。由于液滴越小,表面积与体积的比越大,溶媒会瞬间干燥。液滴小于1μm时,溶媒在喷出瞬间干燥。

注3)产综研没有公开喷射fl级微细液滴的技术详情。

另外,近年来,喷墨材料的种类不断增多。ITO(铟锡氧化物)、Cu和Si等原来很难用作墨水的材料均现在均能制成墨水,实现了金属布线和半导体涂布注4)。

注4)喷墨涂布用墨水材料的制约因素很多,需要满足多个条件,如使用的溶剂不溶解喷头、喷出的粘度易于调整、喷射的液滴不因喷头发生变形等。
nm级微细图形成型

(3)成型技术就是在薄膜底板上形成三维构造的技术。膜上图形成型有两种方法。一种是挤压成型,就是将溶融的聚合物制成薄膜时形成图形的方法,另一种是利用涂布在薄膜上的UV硬化树脂形成图案的方法。前者用于形成液晶面板用带透镜的扩散板和导光板,后者用于形成液晶面板用棱镜板和电子纸扇形构造。

目前,使用筒状模具的成型在量产水平方面,线宽和直径的加工尺寸均微细化到了30μm左右。预计今后将通过使用形成nm级图形的模具成型的纳米压印技术,实现达数十nm的微细化。

除成型技术外,成型的微细化还得益于模具制作技术。比如,利用筒状模具在薄膜上连续压印图形时,使用筒状模具形成无缝图形的技术至关重要。该技术尚处于研究阶段,不过日本首都大学东京城市环境专业城市环境科学研究科教授益田秀树联合神奈川科学技术研究所,共同开发出了利用阳极氧化在Al表面制作nm级螺距的点形状的技术。Al氧化后形成A2O3,通过电压和溶液的组成优化,部分Al发生溶解,形成等间隔的nm级孔注5)。

注5)此孔的平均螺距取决于阳极氧化的电压。比如,印加40V电压时,以100nm的螺距排列孔。

2015年电子迁移率将达到10cm2/Vs

(4)上述三种加工方法中,屏幕印刷和喷墨涂布等使用的材料的发展尤为显著(图4)。电子迁移率与非晶硅同为1cm2/Vs的有机半导体材料已达到实用水平注6)。2015年有机半导体的电子迁移率将提高到多晶硅水平,为10cm2/Vs。原因是改进技术,使溶媒更易溶解高电子迁移率的材料。

注6)除提高了涂布型半导体材料的性能外,还确立了更稳定的制造方法。“早在几年前,即使使用相同的有机半导体材料,其特性也会因不同的元件厂商或不同批次的试制发生改变。现在,通过改进有机半导体的涂布技术以及底板、半导体材料和绝缘膜材料的界面的控制技术,在使用同一有机半导体材料时,很少出现特性产生较大差异的情况”(索尼)。

图1:涂布型半导体电子迁移率的推移目前量产时的电子迁移率已达到1cm2/Vs。《日经微器件》基于产业技术综合研究所、OE-A和德国H.C. Starck GmbH的资料制作。


电子迁移率大于1cm2/Vs的有机半导体材料注7)如三菱化学科学技术研究中心开发的TBP的前驱体。将溶液状的前驱体涂布在底板上,利用180℃的热处理转换成具有半导体功能的卟啉膜。电子迁移率最大为1.8cm2/Vs。三菱化学计划从2010年开始利用卷对卷方式生产使用该材料的发光效率为7%的太阳能电池。预计2015年发光效率可提高到15%。

注7)电子迁移率大于1cm2/Vs的有机半导体材料的应用方面,使用与三菱化学的材料不同的材料,美国Konarka Technologies已开始先行进行使用有机半导体(卷对卷制造)的太阳能电池的样品供货。卷对卷的导入前提是高生产效率和高成品率

使用薄膜底板的卷对卷制造工艺的导入前提是同时实现高成品率和高生产效率。如果不能实现这一前提,那么采用卷对卷方式就没有任何意义。

卷对卷方式是使用卷成筒状的长达几百米~几千米的薄膜底板,进行连续处理的制造工艺。而盒对盒方式是使用单个切断的薄膜底板,按照制造工序依次在各个设备上进行处理的制造工艺。

与盒对盒方式相比,卷对卷方式的优点是能以较高的效率和较低的成本制造生产数量较多的元件。原因是将多数制造设备连成一排进行连续处理,可大幅节省搬运时间和减少设备。与盒对盒方式相比,制造相同元件时,设备投资成本较低但吞吐量较高。

不过,如果存在成品率低或处理速度慢的工序的话,连续处理就成为最大的缺点。卷对卷方式的吞吐量取决于处理速度最慢的工艺。采用盒对盒方式时,可通过增加处理速度慢的工艺的设备台数保证工艺整体的处理速度。

作为选择盒对盒方式形成有源矩阵驱动的液晶面板、电子纸和有机EL面板用TFT的实例,列举了以柔性显示器开发为目标的欧洲的项目“Flexidis Project”。该项目的研究内容是使用6张掩模通过10道工序形成TFT。使用长度为300m的薄膜底板采用卷对卷方式制造时,生产周期比盒对盒方式的0.17天多5天。这样,采用连续制造就暴露出两个问题。一是生产中的产品——半成品增至10倍,另一个是次品检测的反馈较慢。因此,Flexidis Project将通过把利用现有方法在玻璃底板上作制的TFT转印到薄膜底板上的方法进行制作。

另外,移动显示材料技术研究协会(TRADIM)表示,卷对卷方式还能构成符合制造工艺生产效率的柔性生产线。存在处理能力慢的工序时,可将该工序分成2个卷进行处理,从而构成生产效率更高的生产线。除了通过1个筒状薄膜进行连续处理外,还设想将盒对盒方式嵌入到处理速度较慢的部分工序中去。(记者:加藤 伸一)

索比光伏网 https://news.solarbe.com/200903/13/3629.html

责任编辑:solarbe太阳能网资讯中心
索比光伏网&碳索光伏版权声明:

本站标注来源为“索比光伏网”、“碳索光伏"、"索比咨询”的内容,均属www.solarbe.com合法享有版权或已获授权的内容。未经书面许可,任何单位或个人不得以转载、复制、传播等方式使用。

经授权使用者,请严格在授权范围内使用,并在显著位置标注来源,未经允许不得修改内容。违规者将依据《著作权法》追究法律责任,本站保留进一步追偿权利。谢谢支持与配合!

推荐新闻
科学家研发自修复封装材料,阻铅超99%!为钙钛矿光伏技术的可靠性提供了关键解决方案来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-12-05 14:36:42

钙钛矿太阳能电池凭借其高光电转换效率与低制造成本,正成为下一代光伏技术商业化进程中的领跑者。因此,亟需开发一种能够快速响应损伤、具备高效自修复能力与主动铅捕获功能的新型封装材料,这已成为推动钙钛矿光伏技术实现安全、可持续商业化所必须突破的关键瓶颈。

美对中国部分产品关税的豁免延长1年!附14项太阳能和硅片制造设备清单来源:能慧 发布时间:2025-11-28 14:20:35

当地时间11月26日,美国贸易代表办公室,将把针对中国技术转让和知识产权问题、依据301条款调查所设立的关税的豁免延长至2026年11月10日。现有豁免条款原定于今年的11月29日到期。14项HTSUS税目9903.88.70以及美国注释U.S.note20定义的税号产品,主要是太阳能和硅片制造设备等多个领域,具体如下:

前沿光伏技术之中间带太阳电池:让低能光子“无处可逃”的超能武器来源:网络 发布时间:2025-11-24 11:09:28

以晶体硅为代表的第一代太阳电池,其效率已接近理论极限,提效空间有限;第二代太阳电池(CdTe、CIGS、非晶/微晶硅等)虽然生产成本较低,但效率偏低,且其中部分材料存在资源稀缺或环境毒性等问题,难以支撑大规模可持续应用。在此背景下,第三代太阳电池应运而生,包括有机光伏、钙钛矿电池、多结叠层、中间带、热载流子、光子/激子倍增以及热光伏等。这些新技术的共同目标是在不增加复杂封装与阳光跟踪系统的前提下,不断推动单片电池转换效率的提升。

新型界面工程方法实现了26.7%的倒置钙钛矿太阳能电池效率来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-11-19 13:37:47

通过进一步分析,科学家发现水平排列的PMEAI抑制了Pb和I空位的缺陷,并诱导钙钛矿/C60界面内建电场的反转,从而最大限度地减少界面复合损失。他们解释说,界面电场被PMEAI反转,从C60指向钙钛矿,显著加速电子提取并抑制复合,从而突破了钝化层对电流密度和填充因子的传统限制。电池在65摄氏度下1500小时后,仍保持97%的初始效率。

上海交通大学王天富Nature Sustainability:绿色溶剂使钙钛矿太阳能电池具有高效率的可扩展加工来源:矿物薄膜太阳能电池 发布时间:2025-11-12 09:49:24

论文提出以生物质衍生的绿色溶剂γ- 戊内酯(GVL)为钙钛矿前驱体溶剂、乙酸正丁酯(BAc)为反溶剂,解决了传统有毒溶剂(DMF/DMSO)的环境危害与前驱体不稳定问题;GVL 基 FAPbI₃前驱体墨水可稳定储存一年,结合三丁基甲基碘化铵(TBMAI)形成的一维钙钛矿类似物(perovskitoid)钝化缺陷,最终小面积钙钛矿太阳能电池(PSCs)功率转换效率(PCE)达25.09%,12.25 cm²迷你模组经认证效率20.23%,为PSCs 规模化绿色制备提供关键方案。

镁掺杂氧化镍空穴传输层实现高效率和稳定的钙钛矿太阳能电池来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-11-11 14:09:07

钙钛矿太阳能电池是一种有前景的薄膜光伏器件,可实现高达27.3%的功率转换效率。由氧化镍和Me-4PACz组成的空穴传输层在这些器件中被广泛使用。此外,它们还可以用于与其他太阳能电池制备叠层电池。空穴传输层对PSCs极为重要,HTL自身的性能与稳定性具有重要意义。NiOx具有高透光率,其纳米颗粒稳定性优良。同时,使用NiOx的PSC仅保持初始PCE的62.9%。

中山大学莱恩功能材料研究所Nature Sustainability:用内置超分子复合物降低钙钛矿太阳能电池的铅毒性来源:矿物薄膜太阳能电池 发布时间:2025-11-11 11:53:07

该论文通过在钙钛矿太阳能电池(PSCs)中嵌入由2 - 羟丙基-β- 环糊精(HPβCD)和1,2,3,4 - 丁烷四羧酸(BTCA)组成的自交联超分子复合物,同时解决了铅泄漏、铅毒性及器件稳定性问题;改性后PSCs 冠军功率转换效率(PCE)达22.14%,严重破损器件经522 小时动态水冲刷仍保持97% 初始效率且铅泄漏量< 14 ppb(符合美国EPA 标准),铅毒性降至与无铅PSCs 相当水平,还实现了铅的闭环回收,为PSCs 商业化提供可持续路径。

新南威尔士大学和 BT Imaging 开发非接触式太阳能电池检测技术来源:钙钛矿工厂 发布时间:2025-11-11 08:51:57

近日,澳大利亚新南威尔士大学的研究人员与该大学衍生公司BTImaging合作,正在通过一项耗资140万澳元的项目推进BC太阳能电池检测技术的落地。

新型双功能离子方法实现钙钛矿太阳能电池的全面结晶和缺陷控制来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-11-06 14:16:39

中国几所大学的研究人员报告说,通过引入三氟甲磺酸钠作为双功能离子调节剂,钙钛矿太阳能电池制造取得了进展。本研究建立了一种综合分子水平策略,用于调节钙钛矿体系中的结晶动力学和缺陷化学。NaOTF介导的离子调控框架为高效、长期稳定的钙钛矿太阳能电池的设计提供了一种通用且可扩展的途径,为下一代光电器件中的受控晶体生长和缺陷钝化提供了宝贵的指导。

该企业计划于2026年在美国新建3.7GW工厂 来源:索比光伏网 发布时间:2025-11-04 14:27:31

近日,美国薄膜组件制造商FirstSolar宣布,计划2026年在美国新增一座年产能3.7GW的制造工厂。该工厂预计于明年年底投产,2027年上半年逐步释放全部产能,总投资约3亿美元。此次扩产也伴随海外产能调整,该公司已于2025年第三季度缩减越南和马来西亚工厂产量。2025年8月,该公司路易斯安那州工厂启动商业运营,历时19个月建成,满产后年产能达3.5GW,主打Series7组件。

分子桥接策略提高了钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-11-03 14:49:18

中国石油大学(华东)和青岛理工大学的研究人员报告了一种新的分子桥接策略,以解决钙钛矿太阳能电池中已知的挑战—钙钛矿吸收层和载流子提取层之间埋地界面的接触不良。通过引入氨基磺酸钾作为SnOETL和钙钛矿层之间的桥接分子,该团队在器件效率和稳定性方面都取得了提高。这项工作强调了埋地界面工程在提高PSC性能方面的重要性,并证明像HKNOS这样具有成本效益、结构简单的分子可以在效率和耐用性方面带来显着的提升。