黑硅高效电池
晶科能源专注于具有可量产性的高效电池开发，目前已经实现了20%以上的高效多晶电池的批量生产，有望在年内实现20.5%以上量产效率。晶科能源是业内首家将电池片量产工艺推进到了20% 以上，坐稳业界量产
黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法(Reactive Ion Etching，RIE)技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE
索比光伏网讯:晶科能源专注于具有可量产性的高效电池开发，目前已经实现了20%以上的高效多晶电池的批量生产，有望在年内实现20.5%以上量产效率。晶科能源是业内首家将电池片量产工艺推进到了20% 以上
称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法（metal Catalyzed Chemical Etching
反射率，目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz
能够形成一层1~2nm厚的SiOx层，起到介质钝化的作用。对于P型基底，AlOx/SiNx叠层薄膜能够将少数载流子的表面复合速率降低到10cm/s。许多高效电池结构，如PERC、PERC、PERT
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
。许多高效电池结构，如PERC、PERC、PERT、LFC等都是以背面AlOx/SiNx叠层钝化薄膜为基础。与常规晶体硅电池相比，PERC电池用AlOx/SiNx叠层薄膜替代铝背场，背面镀完AlOx
高效电池生产技术工艺流程如图8所示。在先进制绒阶段，金刚线多晶硅片经过常规酸制绒工艺进行初步制绒，去除表面附近的损伤层。继续经过黑硅技术手段进行再制绒，形成亚微米级的绒面。后续经过绒面微处理完成整个
（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
行业平均水平1~2个档。在钱晶看来，多晶仍有效率继续提升的空间，PERC背面钝化技术，以及金钢线切多晶硅片加之黑硅表面制绒工艺处理技术都将让多晶的成本优势继续扩大。扩产高效产能 6.5GW出货量预期可
仍将延续。在去年完成4.5GW出货量的基础上，钱晶表示，晶科能源将适度释放一些产能，但主要是更高效电池和组件产线以及新产品产线，而不是目前的常规产品。从晶科能源晶硅组件技术白皮书可以看出，晶科将利用
反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
来自于单多晶的材料特性差异。未来随着PERC等高效电池技术的量产应用，单多晶电池转化效率差距将越来越大。而根据测算，电池转换效率每提高1个百分点，每瓦系统成本降低5-7个百分点(见表2)。所以做高功率
切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等
提高约0.6%～1%，而多晶电池转化效率仅提高约0.5%。显然，单晶转换效率的提高更具优势和潜力，这同样来自于单多晶的材料特性差异。未来随着PERC等高效电池技术的量产应用，单多晶电池转化效率差距将
大幅下降，下降幅度可达20%左右，导致单晶、多晶硅片的成本差在0.25元/Wp左右。
金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶
、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺上提升效率0.2～0.3%，干法可提升效率0.5～0.8%。
图4 多晶硅片技术发展路线图
至于铸锭成本方面
/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺
