黑硅电池组件
是协鑫集成不断科研突破的成果，协鑫集成上市以来尤其注重科技研发，2015年先后开发并量产 1500V 和P6/96 特大组件、双玻组件、金刚双片 组件等新产品。另外黑硅电池组件、PERC电池组件
金刚高效组件后，结合已投产的高效组件生产研发经验与行业时下前沿电池技术倾心打造的鑫金刚系列升级力作。
协鑫集成副总裁黄强博士在推介会现场表示，超级金刚高效组件面积和安装尺寸都近似于常规72片电池组件
。
2016年协鑫集成组件出货量有望大幅度增长，目前产能接近6GW，公司表示，未来将在高端制造业务方面进一步发展，以信息化推动高端制造工业4.0建设，打造智能化电池组件制造基地，加强技术研发，走差异化产品路线
。推动PERC、黑硅及异质结电池量产，实现金刚组件、半片组件、超大组件及双玻组件大规模推广。
另一方面，协鑫集成不断布局海外销售市场，重点布局日本、印度、美国、澳洲等新兴市场，把握发展机遇，合作推进
反射率，目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz
(metal Wrap Through)电池，它通过激光穿孔和灌孔印刷技术将正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导到硅片背面，通过16个电极孔收集光生电流，如图3所示，直接减少了主栅的遮光面积。在MWT电池组件的
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
电极穿过硅片基体引导到硅片背面，通过16个电极孔收集光生电流，如图3所示，直接减少了主栅的遮光面积。在MWT电池组件的封装技术中，导电胶的采用将背面正负极同时与基板连接，这样增加堆积密度，不仅方便安全
（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
，通过16个电极孔收集光生电流，如图3所示，直接减少了主栅的遮光面积。在MWT电池组件的封装技术中，导电胶的采用将背面正负极同时与基板连接，这样增加堆积密度，不仅方便安全，而且也减少FF损失和提高Jsc
电池组件制造基地，加强技术研发，走差异化产品路线。推动PERC、黑硅及异质结电池量产，实现金刚组件、半片组件、超大组件及双玻组件大规模推广。近期其多晶光伏组件已顺利通过中国质量认证中心(CQC)的一级能
侧重，逐步实现战略发展目标。在高端制造业务发展方面，协鑫集成表示将以信息化推动高端制造工业4.0建设，打造智能化电池组件制造基地，加强技术研发，走差异化产品路线。推动PERC、黑硅及异质结电池量产，实现
%。 公司表示，未来将在高端制造业务方面进一步发展，以信息化推动高端制造工业4.0建设，打造智能化电池组件制造基地，加强技术研发，走差异化产品路线。推动PERC、黑硅及异质结电池量产，实现金刚组件
为了增加太阳能电池对入射光的吸收，采用等离子体浸没离子注入的方法使用SF6和O2已经成功生产出多晶黑硅。本实验研究对比了几个不同条件下消除黑硅缺陷的差异。消除黑硅表面缺陷可以减少表面积和刻蚀损伤降低
%上升到15%，未来还会往20-25%提升，改局部展望了，其实2015年的中国市场如果没有主要单晶硅片企业跳出来，往下游做了单晶电池组件，在中国电站市场和多晶一起拼价格，单晶下滑幅度还会更惨
多晶的提升空间仍然不小，当多晶也采取诸如连续加料铸锭、黑硅电池工艺配合金刚线切多晶、推动多晶PERC电池等措施时，多晶的性价比优势又会进一步扩大。此外，在效率方面，也不总是单晶占优势，前几年我们都在
