黑硅电池片

主辅材，明显改善了多晶电池片的光衰、黑边等问题，提高了后端组件的输出功率。来自保利协鑫客户的数据显示，基于鑫多晶 S4的组件输出功率可以增加5.5W（60片型）。 除了更高效的硅片产品，黑硅
技术，可彻底解决多晶电池片的光衰问题，为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。再加上硅片的边缘改善、尺寸加大等措施，鑫多晶S4将为客户提供60片组件功率输出增加5.5W的解决方案。未来，保利协鑫

技术，可彻底解决多晶电池片的光衰问题，为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。再加上硅片的边缘改善、尺寸加大等措施，鑫多晶S4将为客户提供60片组件功率输出增加5.5W的解决方案。未来，保利协鑫
晶体结构的优化控制。相较于单晶的单一晶体结构，多晶产品效率在硅片环节的提升空间更大，汪晨指出。保利协鑫最新一代高效多晶产品S4应用了全新的共掺杂技术、最新多晶技术平台和高纯主辅材，明显改善了多晶电池片的

（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
高效电池生产技术工艺流程如图8所示。在先进制绒阶段，金刚线多晶硅片经过常规酸制绒工艺进行初步制绒，去除表面附近的损伤层。继续经过黑硅技术手段进行再制绒，形成亚微米级的绒面。后续经过绒面微处理完成整个

燃起。虽太阳能业界探讨金刚线切多晶硅片已行之有年，但过于光亮的硅片会让电池片外观产生线痕问题、也会因更高的反射率而降低转换效率，故须再多加一道表面制绒的工艺处理，业界普遍称之为黑硅技术。其中又以干法制绒的
之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅片端降本、电池片端提效两方面都同时兼顾。而RIE技术

方面，多晶仍有效率继续提升的空间，PERC的背面钝化成熟技术，还有多晶金钢线切降本加之黑硅表面制绒工艺处理技术结合会让多晶的成本优势继续扩大。晶科的目标是单多晶会同时发展，不是我们不做单晶，而是我们
要给客户行业最好的单晶，就像我们给客户行业最好的多晶一样。去年晶科完成了4.5吉瓦的出货量，毛利率再次行业领先，被称为最会赚钱的光伏公司，那其中的奥秘是？主要还是行业领先的技术和品质保障。多晶量产电池片

，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在确保
反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片

，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在
切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等

一、多晶 vs 单晶多晶的优势LID衰减LID(Light Induced Degradation)：即光致功率衰减，一般组件运行初始阶段LID较高，之后随电池片硼氧复合体的逐年平稳下降，但理论数据
，稳定衰减方面，单多晶一线品牌都提供线性质保0.7%。CTM封装损失CTM(Cell-to-Module)：即从电池到组件的功率封装损失，电池片在封装成为组件的过程中，封装前后发电功率会变化，通常称为