黑硅抗反射

。据了解，协鑫集成的双玻系列组件具有多方面技术优势，最高可承受1500V系统电压，能有效减少BOS成本，通过双层玻璃设计，进一步增强组件抗腐蚀能力，精选封装材料和严格工艺保证了组件抗PID和蜗牛纹，另外
，通过电流分档，为系统端提高约2.5%发电量。还可提供快速安装方式，提供带边框设计。值得一提的是，协鑫集成的N型双面双玻组件初始衰减率低，具有非常好的弱光响应，使用寿命能高达到30年以上，通过水面上反射

晶硅组件企业多采用的技术路线。除了PREC技术，多晶组件还将追赶单晶效率的希望寄托于金刚线切割+黑硅技术。金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本，却使硅片表面过于光亮，使电池片外观产生线痕，反射率过高
（PERC）技术、金刚线切割加黑硅技术、双玻技术为主。PERC技术与常规电池生产线兼容性高，只需增加钝化、激光开孔等设备，用较低的生产线改造投资，就能将单晶和多晶电池转换效率分别提升1%和0.5%左右，是当前

出发，此前的技术创新主要在两个方向上优化。第一是如何最大限度增加光吸收，提高光的使用效率，可称之为开源，目前采用的主要方式有增加抗反射层、减少栅线遮挡、采用黑硅及绒面减少光反射、全背面接触电池（IBC）等

光伏制造业的整合。晶澳技术研发路线晶澳是全球首家大规模量产选择性发射极、MWT、背钝化及铝背场及黑硅技术电池的光伏企业，也是首家将二次印刷技术运用到所有生产线中的公司。晶澳于2013年10月便推出
了PERC技术，213年12月推出了黑硅技术，是全球最早推出PERC技术和黑硅技术的企业。大同领跑者项目中晶澳PERC技术博秀组件出货量为150MW，黑硅技术组件出货量17MW，黑硅技术润秀组件150MW

。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。实验数据表明，应用gcl法多晶黑硅技术的电池可以提升电池效率0.3%-0.4%，60片型组件功率

，增加对光的吸收，解决了在金刚线切多晶硅片的表面制备优质绒面的障碍。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。 实验数据表明，应用
、领导力。 在最新一代鑫多晶s4上，除了晶体结构控制，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构

切多晶硅片的表面制备优质绒面的障碍。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。 实验数据表明，应用gcl法多晶黑硅技术的电池可以提升
s4上，除了晶体结构控制，保利协鑫已经开始尝试其他的技术方案。其中，金刚线切多晶匹配湿法黑硅技术是当前研发的重点。保利协鑫的gcl法多晶黑硅片以金属诱导，产生纳米微孔结构，增加对光的吸收，解决了在金刚线

面的障碍。不仅如此，黑硅技术大大弥补了金刚线切多晶硅片反射率更高、严重降低电池效率的缺陷，是理想的配套技术方案。实验数据表明，应用gcl法多晶黑硅技术的电池可以提升电池效率0.3%-0.4%，60片型