黑硅抗反射

能解决外观问题之外，还能形成纳米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。2016年11月，保利协鑫
多晶硅片主要面临断线风险和制绒困难两大问题，金刚线切割制程匹配黑硅技术被认为是多晶狙击单晶的重要措施。2、电池技术黑硅技术黑硅对光伏行业来讲，不是一个新技术，是随着金刚线切硅片而卷土重来的既存技术。黑硅除了

而卷土重来的既存技术。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成纳米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效
完全成熟，多晶产品将迈进黑硅时代。 PERC电池技术 PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)电池技术是通过在电池背面实行钝化的技术。增强光线的内背反射，降低

量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。 目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion
在哪里! PERC电池技术 PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)电池通过在电池背面实行钝化技术，增强光线的内背反射，降低了背面复合，从而使电池的效率能够有效

。第二，黑硅技术的设备成本降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配
在哪里！PERC电池技术PERC（Passivated Emitter and Rear Cell）电池通过在电池背面实行钝化技术，增强光线的内背反射，降低了背面复合，从而使电池的效率能够有效提高

技术的设备成本降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能

降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片

背面接触)电池组件、MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、黑硅电池组件、异质结(HIT或HJT)电池组件、IBC(背接触)电池组件、双面电池组件、切片电池组件、叠瓦电池组件、双玻组件、智能组件等
典型的双面发电电池，更是引领N型双面发电的开创性产品。利用该技术制成的双面发电组件具有双面发电特性、初始光衰低、良好的弱光性能、良好的温度系数、30年线性质保、抗PID(电势诱导衰减)、抗蜗牛纹、超强

接触)电池组件、MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、黑硅电池组件、异质结(HIT或HJT)电池组件、IBC(背接触)电池组件、双面电池组件、切片电池组件、叠瓦电池组件、双玻组件、智能组件等。由于超级领跑者
开创性产品。利用该技术制成的双面发电组件具有双面发电特性、初始光衰低、良好的弱光性能、良好的温度系数、30年线性质保、抗PID(电势诱导衰减)、抗蜗牛纹、超强耐候性、良好的机械性能和1500V系统设计等