黑硅多晶电池

，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在确保
反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片

，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在
切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等

反射基本发生在玻璃表面，玻璃反射率约4%，这样单晶电池片原本在反射率上的优势就被牺牲掉了。这也是为什么多晶的封装损失可能甚至出现负值，是因为多晶电池被封装以后，电池表面反射率大幅下降，电池实际接受到的
光线获得了增益，所以效率可能不降反升。图4 单多晶电池到组件外量子效率EQE及反射率Ref-变化2）外量子效率EQE：多晶，短波区域(380-560nm区域)，组件较电池更高，即该波段区域，组件对光子的

；但当电池封装成为组件以后，组件的反射基本发生在玻璃表面，玻璃反射率约4%，这样单晶电池片原本在反射率上的优势就被牺牲掉了。这也是为什么多晶的封装损失可能甚至出现负值，是因为多晶电池被封装以后，电池
电池反射率相当，组件反射的光与电池相当。从图4的单多晶电池到组件外量子效率EQE及反射率Ref-变化图可以清楚得看到短波区域(380-560nm区域)和长波区域(900-1200nm)，多晶组件较多晶电池

/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺

制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后，单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明，湿法黑硅技术可在普通电池工艺上提升效率0.2～0.3%，干法可

成本越来越低，和火电成本日渐接近的情况下。 选择高效光伏发电，实现清洁能源替代，已经成为全球趋势。随着近年来新技术的应用，尤其是perc技术、HIT技术、黑硅技术等对于单晶组件效率提升成本下降的作用
。 从转换效率来看，目前行业内量产的单晶电池效率已达到19.5%左右，在新技术的支持下，单晶电池转化效率会进一步提高约0.6%～1%，远远超过多晶电池的0.5%。未来，技术优势加上单晶自有的性能优势

组件，以及黑硅多晶电池和组件，是全球唯一将二次印刷技术运用到所有电池生产线的光伏制造企业，并实现100%抗PID组件量产。晶澳太阳能也是全球首家实现选择性发射极技术光伏电池和MWT光伏电池大规模量产的
公司。作为全球光伏核心技术领导者，晶澳太阳能在2014年9月成为首先突破并创造多晶电池平均转换效率大于20%的世界纪录。目前国家光伏领跑者计划实施之初就已有四款产品符合并超过了领跑者标准。晶澳拥有国际

，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在
多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中