认为,多晶硅片通过黑硅技术的应用推广,在未来五到十年内还将占领市场主导地位。
万跃鹏表示,黑硅技术应用于金刚线切硅片制绒将成为未来多晶硅片的一个发展方向。金刚线切割多晶,可以使单位重量出片数增加约17
%,硅片成本下降约15%(0.4-0.6元/片),保持多晶硅片在成本上的优势;黑硅技术则能有效提高组件功率,其中干法(RIE)黑硅可促进电池效率提高0.4%-0.6%,处于实验阶段的湿法(MCCE
,MCCE)。除了能解决外观问题之外,从转换效率的角度探讨,多晶电池片因表面反射率高,故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑,提升入射光的捕捉,故在硅晶圆端降本、电池片端提效
索比光伏网讯:晶科能源专注于具有可量产性的高效电池开发,目前已经实现了20%以上的高效多晶电池的批量生产,有望在年内实现20.5%以上量产效率。晶科能源是业内首家将电池片量产工艺推进到了20% 以上
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除了能解决外观问题之外,从转换效率的角度探讨,多晶电池片因表面反射率高,故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑,提升入射光的捕捉,故在硅晶圆端降本、电池片端提效两方面
晶科能源专注于具有可量产性的高效电池开发,目前已经实现了20%以上的高效多晶电池的批量生产,有望在年内实现20.5%以上量产效率。晶科能源是业内首家将电池片量产工艺推进到了20% 以上,坐稳业界量产
,MCCE)。除了能解决外观问题之外,从转换效率的角度探讨,多晶电池片因表面反射率高,故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑,提升入射光的捕捉,故在硅晶圆端降本、电池片端提效
索比光伏网讯:晶科能源专注于具有可量产性的高效电池开发,目前已经实现了20%以上的高效多晶电池的批量生产,有望在年内实现20.5%以上量产效率。晶科能源是业内首家将电池片量产工艺推进到了20% 以上
主辅材,明显改善了多晶电池片的光衰、黑边等问题,提高了后端组件的输出功率。来自保利协鑫客户的数据显示,基于鑫多晶 S4的组件输出功率可以增加5.5W(60片型)。
除了更高效的硅片产品,黑硅
,黑硅技术的优势还在于不与现有的电池技术冲突,可以和PERC等电池技术叠加使用。汪晨表示,保利协鑫将继续开拓以多晶为主导的硅片市场,通过多种技术方案为多晶电池带来更大的增益。未来会视市场需求陆续扩大单晶
技术,可彻底解决多晶电池片的光衰问题,为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。再加上硅片的边缘改善、尺寸加大等措施,鑫多晶S4将为客户提供60片组件功率输出增加5.5W的解决方案。未来,保利协鑫
晶体结构的优化控制。相较于单晶的单一晶体结构,多晶产品效率在硅片环节的提升空间更大,汪晨指出。保利协鑫最新一代高效多晶产品S4应用了全新的共掺杂技术、最新多晶技术平台和高纯主辅材,明显改善了多晶电池片的
反射率,目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体,在蚀刻过程中,F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF,O自由基形成SixOyFz
对侧墙进行钝化处理,形成绒面结构,如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。
图2A. 单晶电池金字塔绒面图
2B. RIE制备的多晶电池绒面
减反射膜利用光的干涉相消原理,减小入射光的反射。从
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体,在蚀刻过程中,F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF,O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
。
3.20.5%以上效率多晶电池量产技术路线
晶科能源专注于具有可量产性的高效电池开发,目前已经实现了20%以上的高效多晶电池的批量生产,有望在年内实现20.5%以上量产效率。其高效多晶硅电池结构
(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体,在蚀刻过程中,F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF,O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理,形成绒面
收集。目前PERC电池技术已经成为热门的高效量产技术,其转换效率提升在0.5~0.8个百分点之间。3.20.5%以上效率多晶电池量产技术路线晶科能源专注于具有可量产性的高效电池开发,目前已经实现了20
之外,从转换效率的角度探讨,多晶电池片因表面反射率高,故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑,提升入射光的捕捉,故在硅片端降本、电池片端提效两方面都同时兼顾。而RIE技术
随着去年下半年单晶硅片的让利抢占市场效果显著,多晶硅片庞大的产能也欲以金刚线切降本以扳回一城。这样的热潮在各大垂直整合厂近日的财报会议也可见一斑,市场讨论金刚线切多晶硅片以及黑硅技术的热度又再